[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于其包括：

具有第一导电型的一第一掺杂区位于一基底中，该第一掺杂区中具有一沟渠；

具有第二导电型的一第二掺杂区，位于该沟渠底部，将该第一掺杂区分隔成分离的一源极掺杂区与一漏极掺杂区，该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间为一通道区；

一栅极，位于该沟渠之中；以及

一介电层，位于该栅极与该沟渠的该基底之间。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中各源极或漏极掺杂区从该沟渠的底部接近底角之处沿着该沟渠的侧壁延伸至该基底的表面。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二掺杂区包括两个深度不同的一第一区域与一第二区域，其中远离该沟渠底部的该第二区域的面积大于一接近该沟渠底部的该第一区域的面积，使上述源极或漏极掺杂区成阶梯状。

4.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于还包括一间隙壁，位于该沟渠的侧壁的该介电层与该基底之间。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二掺杂区从该沟渠的底部延伸至该沟渠的侧壁接近底角之处，使各源极或漏极掺杂区未包覆该沟渠的底部以及底角，而从该沟渠的侧壁延伸至该基底的表面。

6.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底；

在该基底中形成具有第一导电型的一第一掺杂区；

移除部分该第一掺杂区，以在该第一掺杂区中形成一沟渠；

在该沟渠底部形成具有第二导电型的一第二掺杂区，将该第一掺杂区分隔成两个源极或漏极掺杂区；

在该沟渠中形成一栅极；以及

在该栅极与该沟渠的该基底之间形成一介电层。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于还包括在该沟渠的侧壁形成一间隙壁。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第二掺杂区的形成方法包括以该间隙壁为罩幕进行单一离子植入工艺，使所分隔的上述各源极或漏极掺杂区从该基底的表面，沿着该沟渠的侧壁，延伸至该沟渠的底部接近底角之处。

9.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第二掺杂区的形成方法包括以该间隙壁为罩幕进行一第一离子植入工艺与一第二离子植入工艺，其中该第二离子植入工艺的能量高于该第一离子植入工艺的能量，使该第二离子植入工艺所形成的一远离该沟渠底部的区域的面积大于该第一离子植入工艺所形成的一接近该沟渠底部的区域的面积。

10.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第二掺杂区的形成方法包括以该沟渠为罩幕，进行一离子植入工艺，使该第二掺杂区从该沟渠的底部延伸至该沟渠的侧壁接近底角之处。