[发明专利]半导体封装的粘片工艺

说明书

技术领域

本发明有关于一种粘片工艺，特别有关于一种半导体封装的粘片工艺。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。如图1所示，现有半导体封装工艺的流程步骤为：1)在晶圆的背面贴上胶带层；2)将大尺寸晶圆切割成单颗芯片单元；3)在基板上一颗颗涂敷环氧树脂胶；4)将切割好的芯片单元一颗颗置于涂好胶的基板上；5)经过烘烤后芯片与基板粘合起来；6)进行半导体封装的常规流程作业。该半导体封装的常规流程作业包括：将芯片上的微小焊垫与基板上设计好的引脚通过引线键合技术相连接，完成电气互连；用包覆材料将打好线的封装体塑封起来，只露出外引脚部分，以保护芯片不受外界压力、温度、湿度等影响，便于与其它器件连接；在产品上打印标识；对产品进行机械切割，即将塑封后的整条基板切割成封装单元；最后将封装好的产品逐颗放进包装材料并出货。

上述现有半导体封装工艺中的粘片工艺是采用先切割再粘合方式，即先将晶圆上连接在一起的芯片切割成一颗颗彼此分离的单颗芯片单元，然后在基板的若干单元上依次涂敷胶层，再利用键合机将晶圆上已分离的芯片单元逐颗吸取到已涂敷胶层的基板上。由于要一颗颗点胶，一颗颗吸取，使得现有粘片工艺的生产时间较长，生产效率较低，且点胶工艺使得胶层不均，常会引起芯片不平整。

另外，现有的半导体封装工艺多用于封装大小为3mm*4mm*1mm的常规半导体封装产品，随着半导体封装产品向微型化的趋势发展，市场上已出现大小为0.6mm*0.3mm*0.3mm的微型化封装体，由于该产品极其微小，需要的粘合胶也要非常薄，因此要严格控制点胶量，以避免芯片与基板粘合后的溢胶问题，这就对现有封装技术无论从材料性能、机器精度、工艺参数控制、工艺稳定性和重复性上均提出了极大的挑战，现有工艺技术已无法封装如此微小的产品，其粘片工艺已不能满足对小体积封装体的封装要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体封装的粘片工艺，该粘片工艺采用对整片晶圆背面直接涂敷胶层，然后将晶圆切割为单颗芯片，其省去了在基板上一颗颗点胶的耗时耗力，工艺更加简单，且可操作性强，极大地提高了生产效率。

本发明的上述目的可采用下列技术方案来实现：

本发明提供一种半导体封装的粘片工艺，所述半导体封装的粘片工艺包括以下步骤：

a)刷胶：提供一晶圆，其具有正面和背面，所述晶圆背面为裸硅面，在所述晶圆背面上涂覆有一层接合胶；

b)切割：对涂覆有接合胶的晶圆进行切割，以形成多颗彼此分离的芯片；

c)粘合：将分离后的芯片粘有接合胶的一面粘贴在基板上。

在优选的实施方式中，所述步骤a包括利用印刷治具对所述晶圆背面进行涂胶，所述印刷治具上设有刷胶区，所述刷胶区与所述晶圆的背面相对，所述接合胶通过所述刷胶区被涂覆至所述晶圆的背面。

在优选的实施方式中，所述印刷治具为网板，所述刷胶区为所述网板上的一个圆形区域，所述刷胶区的面积小于所述晶圆的面积，所述网板除所述圆形区域以外的部分通过胶层密封覆盖。

在优选的实施方式中，所述印刷治具为钢板，所述刷胶区为开设在所述钢板上的圆形通孔，所述刷胶区的面积小于所述晶圆的面积。

在优选的实施方式中，在所述步骤a之前还包括晶圆减薄步骤：对晶圆背面进行研磨，研磨后晶圆厚度为75～300μm。

在优选的实施方式中，在所述步骤a和所述步骤b之间还包括步骤a1：在所述晶圆背面涂覆的接合胶上粘贴胶带层。

在优选的实施方式中，在所述步骤a与所述步骤a1之间还包括半固化步骤：将印刷好接合胶的晶圆进行烘烤，使接合胶半固化。

在优选的实施方式中，在所述步骤c之后还包括加热步骤：对粘有芯片的基板进行加热，使半固化的接合胶软化，所述芯片与基板粘合。

在优选的实施方式中，所述接合胶的胶层厚度为0.05～0.5mm。

在优选的实施方式中，所述接合胶为导电性胶或非导电性胶。

本发明的半导体封装的粘片工艺的特点及优点是：

一、本发明的半导体封装的粘片工艺，主要是在晶圆进行切割前，先在晶圆的背面涂敷一层接合胶，然后对涂有胶层的晶圆进行切割，以形成单颗芯片，之后再将粘有胶层的单颗芯片粘在基板上。由于本发明的粘片工艺是使胶层一次性成形于芯片背面，省去了在基板上一颗颗点胶的耗时耗力，极大地提高了生产效率，并且其所需的机器少，工艺简单，可操作性强。