[发明专利]一种上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括两部分电路：

   第一部分电路包括：

       第一NMOS晶体管，它的栅极电压由低电压源VDD_L控制；

       电阻，连接第一NMOS晶体管的源极和电源VSS，其中VDD_L≥VSS；

       一个或多个串联二极管，连接高电压源VDD_H和第一NMOS晶体管的漏极，其中VDD_H≥VDD_L；

   第二部分电路包括：

       第一PMOS晶体管，它的源极连接到低电压源VDD_L上；

       第二PMOS晶体管，它的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极；

       第二NMOS晶体管，它连接第二PMOS晶体管的漏极和电源VSS，第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极共同连接到第一NMOS晶体管的源极；

       反相器，它的输入端连接到第二PMOS晶体管的漏极或第二NMOS晶体管的漏极，同时反相器形成一个输出信号RSTB,用来响应高电压源VDD_H和低电压源VDD_L的开启和关闭。

2.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：其中第二部分电路中还包括有第三PMOS晶体管，它的栅极连接到反相器的输入端，源极连接到第一PMOS晶体管的漏极，漏极连接到电源VSS。

3.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述反相器由低电压源VDD_L和电源VSS供电。

4.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：如果高电压源VDD_H和低电压源VDD_L的电压等于或高于自身预设电压值，则反相器的输出电压固定与低电压源VDD_L的电压相等。

5.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述一个或多个串联二极管是以二极管形式连接的PMOS晶体管。

6.一种上电复位电路，其特征在于，包括两部分电路：

   第一部分电路包括：

       一个或多个共源共栅连接的NMOS晶体管，其中第一NMOS晶体管的栅极电压由低电压源VDD_L控制；

       电阻，连接第一NMOS晶体管的源极和电源VSS，其中VDD_L≥VSS；

       一个或多个串联二极管，连接到高电压源VDD_H和第一NMOS晶体管的漏极，其中VDD_H≥VDD_L；

   第二部分电路包括：

       第一PMOS晶体管，它的源极连接到低电压源VDD_L；

       第二PMOS晶体管，它的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极；

       第二NMOS晶体管，它连接第二PMOS晶体管的漏极和电源VSS，第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极共同连接到第一NMOS晶体管的源极；

       反相器，它的输入端连接到第二PMOS晶体管的漏极或第二个NMOS晶体管的漏极。

7.根据权利要求6所述的一种上电复位电路，其特征在于：在一个或多个串联二极管与第一NMOS晶体管之间，还包括第三NMOS晶体管，它的栅极由中间值电压源VDD_M控制，其中VDD_H ≥VDD_M≥VDD_L。

8.根据权利要求6所述的一种上电复位电路，其特征在于：如果高电压源VDD_H、中间值电压源VDD_M和低电压源VDD_L的电压等于或高于自身预设电压值，则反相器的输出电压固定与VDD_L相等。

9.根据权利要求6所述的一种上电复位电路，其特征在于：第二部分电路中还包括第三PMOS晶体管，它的栅极连接到反相器的输入端，源极连接到第一PMOS晶体管的漏极，漏极连接到电源VSS。

10.根据权利要求6所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述一个或多个串联二极管是以二极管形式连接的PMOS晶体管。