[发明专利]半导体磊晶结构及制造方法无效
| 申请号： | 201110091503.0 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738327A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体磊晶结构，包括依次形成在基板上的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，其特征在于，该第一型半导体层具有与活性层接触的上表面，该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米。
2.如权利要求1所述的半导体磊晶结构，其特征在于，该基板与该第一型半导体层的厚度标准差均小于百分之一。
3.如权利要求1所述的半导体磊晶结构，其特征在于，该基板与该第一型半导体层之间进一步包括一个缓冲层。
4.如权利要求1所述的半导体磊晶结构，其特征在于，该第一型半导体层的上表面通过化学机械研磨法研磨成表面粗糙度小于或者等于0.005微米。
5.如权利要求1所述的半导体磊晶结构，其特征在于，该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。
6.一种半导体磊晶结构的制造方法，其包括：
提供一个基板；
在基板上生长一个第一型半导体层，该第一型半导体层具有一个远离该基板的上表面，平坦化该上表面，以使该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米；
在该第一型半导体层的上表面上生长一个活性层；
在该活性层的远离该第一型半导体层的表面上生长一个第二型半导体层。
7.如权利要求6所述的半导体磊晶结构的制造方法，其特征在于，该基板与该第一型半导体层的厚度标准差均小于百分之一。
8.如权利要求6所述的半导体磊晶结构的制造方法，其特征在于，该第一型半导体层的上表面通过化学机械研磨法研磨成表面粗糙度小于或者等于0.005微米。
9.如权利要求6所述的半导体磊晶结构的制造方法，其特征在于，该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。
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