[发明专利]半导体磊晶结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体，尤其涉及一种半导体磊晶结构及制造方法。

背景技术

一般的半导体磊晶结构，如发光二极管磊晶结构，包括依次成长在基板上的第一型半导体层，活性层与第二型半导体层。由于磊晶生长环境的影响，如温度、气流以及压力的影响，容易导致成长在基板的第一型半导体层厚度不均匀并且表面粗糙，使得后续成长在该第一型半导体层上的活性层及第二型半导体层的品质延续着该第一型半导体层的磊晶状况，进而影响最后半导体磊晶结构的品质。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种提高磊晶结构的品质且各处波长较均匀的半导体磊晶结构及制造方法。

一种半导体磊晶结构，包括依次形成在基板上的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层。该第一型半导体层具有一个与活性层接触的上表面，该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米。

一种半导体磊晶结构的制造方法，其包括：提供一个基板；在基板上生长一个第一型半导体层，该第一型半导体层具有一个远离该基板的上表面，平坦化该上表面，以使该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米；在该第一型半导体层的上表面上生长一个活性层；在该活性层的远离该第一型半导体层的表面上生长一个第二型半导体层。

由于该第一型半导体层的上表面为平坦化表面，在成长活性层时，该上表面所承受的温度与压力相等，因此，在其上成长的活性层的厚度相同，从而提升了该半导体磊晶结构的品质，且最终形成的该半导体磊晶结构的波长比较均匀。并且，该第一型半导体层的上表面为平坦化表面，可降低该半导体磊晶结构的缺陷密度。

附图说明

图1是本发明实施例提供的半导体磊晶结构的剖面示意图。

图2是本发明实施例提供的半导体磊晶结构的制造方法的流程图。

主要元件符号说明

半导体磊晶结构100基板10缓冲层20第一型半导体层30上表面31活性层40第二型半导体层50

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

图1所示为本发明实施例提供的半导体磊晶结构100。该半导体磊晶结构100包括依次形成在基板10上的缓冲层20、第一型半导体层30、活性层40以及第二型半导体层50。

该基板10通常为蓝宝石(                                               )、碳化硅()、硅()、砷化镓()、偏铝酸锂()、氧化镁()、氧化锌()、氮化镓()、氮化铝()、或氮化铟()等单晶基底。在本实施例中，该基板10为蓝宝石基板，且该基板10的上表面为一平坦面。

该缓冲层20形成在基板10上。在本实施例中，该缓冲层20为N型氮化物半导体层，其用于降低基板10以及后续在缓冲层20上成长的磊晶结构之间的晶格不匹配度，并提高后续晶格品质。