[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110092828.0 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102214752A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李善浩;李祥炫;尹浩相;丁钟弼 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，包括：
支撑构件；和
发光结构，所述发光结构在所述支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，
其中所述有源层包括：
至少一个量子阱层和至少一个阻挡层；
至少一个势垒层，所述至少一个势垒层位于所述第一导电半导体层和所述至少一个量子阱层中离所述第一导电半导体层最近的第一量子阱层之间；以及
未掺杂的阻挡层，所述未掺杂的阻挡层形成在所述至少一个势垒层和所述第一量子阱层之间并且具有不同于所述至少一个阻挡层的厚度的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电势补偿层，所述电势补偿层位于所述第二导电半导体和所述至少一个量子阱层中离所述第二导电半导体层最近的第二量子阱层之间。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电势补偿层的厚度大于所述至少一个势垒层的厚度并且小于所述未掺杂的阻挡层的厚度。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述未掺杂的阻挡层具有所述至少一个阻挡层的厚度的1.5至7.5倍的厚度。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述未掺杂的阻挡层具有所述至少一个势垒层的厚度的7.5至100倍的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个势垒层包括InN。
7.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电势补偿层包括C、Si、Ge以及Sn中的至少一个。
8.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电势补偿层具有30～的厚度。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个势垒层具有3.5～的厚度。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其中InN的浓度是80％至100％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110092828.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
