[发明专利]发光器件

说明书

交叉引用

本申请要求于2010年4月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2010-0032890的优先权，其全部其内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装以及发光设备。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体作为诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件被关注。氮化物基发光器件使用位于N型GaN半导体层和P型半导体层之间的有源层的能量带隙来产生光。现在，利用产生具有与绿色、红色以及蓝色相对应的波长的光的氮化物基发光器件来使用适当地选择的荧光体发射白光。

发光器件的应用范围从传统的移动设备变为TV、用于MNT的背光单元(BLU)以及普通的照发光设备。为了将发光器件应用于TV、MNT以及普通的发光设备，要求指定电平的ESD容忍度，通常-2KV电平的ESD容忍度。

ESD意指当电子设备接触带电对象时通常产生的数千伏或者更多的静电放电，并且会损坏将电力提供到发光器件的电源装置和各种其它的电子设备以及发光器件。

通常，氮化物基发光器件不能具有-2KV的电平的ESD容忍度。因此，在发光器件被应用于诸如背光单元的设备的情况下，齐纳二极管被添加到发光器件封装的一侧，从而允许发光器件借助于齐纳二极管具有ESD容忍度。

然而，当齐纳二极管被添加到发光器件封装以允许氮化物基发光器件具有ESD容忍度时，齐纳二极管与封装中的发光器件相邻并且因此影响发光器件的亮度。此外，如果齐纳二极管的表面形成为黑色，那么齐纳二极管用作黑体并且因此吸收从发光器件发射的光的一部分，从而减少发光器件的亮度。另外，齐纳二极管被容纳在封装中，从而增加整个封装的制造成本。

发明内容

因此，鉴于上述问题已经提出本实施例，并且提供一种发光器件，其具有对于ESD的高容忍度而没有在封装中安装任何单独的ESD装置，并且防止由于ESD防护而导致的正向压降。

而且，本实施例提供一种发光器件，其最小化亮度的减少同时提高对ESD的容忍度。

根据本实施例的一个方面，通过提供下述发光器件能够完成以上和其它的实施例，该发光器件包括：支撑构件；和发光结构，该发光结构形成在支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及被插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，其中该有源层包括：至少一个量子阱层和至少一个阻挡层；至少一个势垒层，其位于第一导电半导体层和至少一个量子阱层中离第一导电半导体层最近的第一量子阱层之间；以及未掺杂的阻挡层，其形成在至少一个势垒层和第一量子阱层之间并且具有不同于至少一个阻挡层的厚度的厚度。

发光器件进一步包括电势补偿层，该电势补偿层位于第二导电半导体层和至少一个量子阱层中离第二导电半导体层最近的第二量子阱层之间。

电势补偿层的厚度可以大于至少一个势垒层的厚度并且小于未掺杂的阻挡层的厚度。

电势补偿层可以具有与至少一个阻挡层的厚度相同的厚度。

未掺杂的阻挡层可以具有至少一个阻挡层的厚度的1.5至7.5倍的厚度。

未掺杂的阻挡层可以具有至少一个势垒层的厚度的7.5至100倍的厚度。

至少一个势垒层可以包括InN。

该电势补偿层可以包括C、Si、Ge以及Sn中的至少一个。

该电势补偿层可以具有30～的厚度。

该至少一个势垒层可以具有3.5～的厚度。

该至少一个势垒层可以包括两个势垒层。

该至少一个势垒层的InN的浓度可以是80％至100％。

根据本实施例的一个方面，通过提供下述发光器件能够完成以上和其它实施例，该发光器件包括：支撑构件；和发光结构，该发光结构形成在支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及被插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，其中该有源层包括：发光层，其中交替地形成多个量子阱层和多个阻挡层；势垒层，该势垒层被设置在发光层和第一导电半导体层之间以延迟静电放电(ESD)从第一导电半导体层前进到发光层期间的时间；以及未掺杂的阻挡层，该未掺杂的阻挡层被设置在发光层和势垒层之间以相互隔离势垒层和发光层。

该发光器件可以进一步包括电势补偿层，该电势补偿层补偿由于势垒层导致的正向压降。

该势垒层可以扩散从第一导电半导体层行进到发光层的载流子。

该电势补偿层的厚度可以大于势垒层的厚度并且小于未掺杂的阻挡层的厚度。

该电势补偿层可以具有与多个阻挡层的厚度相同的厚度。