[发明专利]一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110094169.4 申请日: 2011-04-15
公开(公告)号: CN102229470A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 杜祖亮;黄灿领;胡彬彬;张兴堂 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;C03C17/36
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 刘建芳
地址: 47500*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 化学 法制 cuins sub 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:在含有铟、硫离子的溶液a中利用湿化学法在基底上沉积成膜;然后将膜放在含有铜、硫离子的溶液b中沉积得到预制复合薄膜;再将预制复合薄膜放在有固态硫源的真空、氮气或氩气气氛下进行退火处理,最终生成铜铟硫薄膜,其中沉积过程在常温常压条件下进行。

2.如权利要求1所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:在溶液a中的沉积时间为72-144h,在溶液b中的沉积时间为1-5h。

3.如权利要求1所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:铟、铜离子分别选自相应的硫酸盐、硝酸盐或氯化物,硫离子选自硫化钠或硫代乙酰胺。

4.如权利要求1所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:所述退火处理的温度为350—500℃,退火时间为20—90min。

5.如权利要求4所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:预制复合薄膜放在有固态硫源的真空、氮气或氩气气氛下以10 ℃/min的速率升温至400—500 ℃。

6.如权利要求1所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:所述基底材料为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃、金属Mo、镀Mo的钠钙玻璃、不锈钢或普通载玻片。

7.如权利要求1至6任一所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:沉积反应在聚四氟乙烯槽内进行,反应过程中将槽置于干燥容器中。

8.如权利要求1所述湿化学法制备CuInS2薄膜的方法,其特征在于:在含有铟、硫离子的溶液a中利用湿化学法在基底上沉积72-144h成膜;然后将膜放在含有铜、硫离子的溶液b中沉积1-5h得到预制复合薄膜;再将预制复合薄膜放在有固态硫源的真空、氮气或氩气气氛下以10 ℃/min的速率升温至350—500 ℃退火处理20—60min,最终生成铜铟硫薄膜,其中沉积过程在常温常压条件下进行,铟、铜离子分别选自相应的硫酸盐、硝酸盐或氯化物,硫离子选自硫化钠或硫代乙酰胺。

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