[发明专利]一种低热阻LED灯及其制备方法无效

申请号：	201110094722.4	申请日：	2011-04-15
公开（公告）号：	CN102252181A	公开（公告）日：	2011-11-23
发明（设计）人：	张家骥;刘沛然	申请（专利权）人：	新高电子材料（中山）有限公司
主分类号：	F21S2/00	分类号：	F21S2/00;F21V19/00;F21V23/06;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司：	中山市科创专利代理有限公司 44211	代理人：	谢自安
地址：	528400 广东省***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种低热 led 及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种低热阻LED灯，其特征在于：包括导电铜箔(1)，在所述的导电铜箔(1)上压合有绝缘层(2)，在所述的导电铜箔(1)和绝缘层(2)之间设有导热胶(3)，在所述的绝缘层(2)和导热胶3上设有通孔(4)，在所述的通孔(4)内设有LED芯片(5)，所述的LED芯片(5)装配在所述的导电铜箔(1)上，在所述的导电铜箔(1)蚀刻有电路。

2.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层(2)为聚酰亚胺层。

3.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层(2)为聚对苯二甲酸乙二酯层。

4.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的导电金属层铜箔(1)为电解铜箔或压延铜箔，其厚度为0.5-5Oz。

5.制备权利要求1至4中任意一种低热阻LED灯的方法，其特征在于包括以下步骤：

A、在绝缘层(2)上涂覆导热胶(3)，经过60-180℃的烘箱干燥出去有机溶剂，使导热胶(3)变成半固化状态；

B、在所述绝缘层(2)和导热胶(3)层上开设通孔(4)；

C、将步骤B中带导热胶(3)的绝缘层(2)与导电铜箔(1)进行压合；

D、在压合后的导电铜箔(1)上装配LED芯片(5)，所述的LED芯片(5)设置在所述的通孔(4)内；

E、通过蚀刻的方法在导电铜箔(1)上蚀刻出电路。

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