[发明专利]一种低热阻LED灯及其制备方法无效
申请号: | 201110094722.4 | 申请日: | 2011-04-15 |
公开(公告)号: | CN102252181A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 张家骥;刘沛然 | 申请(专利权)人: | 新高电子材料(中山)有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V23/06;F21V29/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人: | 谢自安 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低热 led 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种低热阻LED灯,本发明还涉及一种该低热阻LED灯制备方法。
背景技术
随着电子工业的飞速发展,电子产品的体积尺寸越来越小,功率密度越来越大,解决散热问题是对电子工业设计的一个巨大的挑战。现有的LED灯其一般是直接设置在金属基覆铜板上,这种LED灯的散热效果不太理想,因为金属基覆铜板由三层结构所组成,分别是电路层、导热绝缘层和金属基层。LED芯片与金属基层之间并不能直接连接在一起,绝缘层的存在会相对增大其热阻。为了克服这个问题,现有技术中有采用在金属基覆铜板上打孔穿透导热绝缘层,然后再将LED芯片设置在金属基层上,但是这种方法对打孔的精度要求很高,加工非常困难,往往很容易造成金属基层的损坏。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种成本相对较低,热阻相对比较低的LED灯。
本发明的另一个目的是提供一种制备所述LED灯的方法。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种低热阻LED灯,其特征在于:包括导电铜箔,在所述的导电铜箔上压合有绝缘层,在所述的导电铜箔和绝缘层之间设有导热胶, 在所述的绝缘层和导热胶上设有通孔,在所述的通孔内设有LED芯片,所述的LED芯片装配在所述的导电铜箔上,在所述的导电铜箔蚀刻有电路。
如上所述的一种低热阻LED灯,其特征在于所述的绝缘层为聚酰亚胺层。
如上所述的一种低热阻LED灯,其特征在于所述的绝缘层为聚对苯二甲酸乙二酯层。
如上所述的一种低热阻LED灯,其特征在于所述的导电金属层铜箔为电解铜箔或压延铜箔,其厚度为0.5-5Oz。
本发明制备如上所述任意一种低热阻LED灯的方法,其特征在于包括以下步骤:
a)在绝缘层上涂覆导热胶,经过60-180℃的烘箱干燥出去有机溶剂,使导热胶变成半固化状态;
b)在所述绝缘层和导热胶层上开设通孔;
c)将步骤B中带导热胶的绝缘层与导电铜箔进行压合;
d)在压合后的导电铜箔上装配LED芯片,所述的LED芯片设置在所述的通孔内;
e)通过蚀刻的方法在导电铜箔上蚀刻出电路。
综上所述,本发明的有益效果:
本发明中采用先在绝缘层和导热胶层上打孔然后与导电铜箔压合,然后再通孔在装配LED芯片,有效解决了现有技术中打孔容易造成金属基层损坏的问题,也简化了加工工艺,降低了制作难度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述:
如图1所示,本发明一种低热阻LED灯,包括导电铜箔1,在所述的导电铜箔1上压合有绝缘层2,在所述的导电铜箔1和绝缘层2之间设有导热胶3,在所述的绝缘层2和导热胶3上设有通孔4,在所述的通孔4内设有LED芯片5,所述的LED芯片5装配在所述的导电铜箔1上,在所述的导电铜箔1蚀刻有电路。
本发明中所述的绝缘层2可为聚酰亚胺层或为聚对苯二甲酸乙二酯层。所述的导电金属层铜箔1为电解铜箔或压延铜箔,其厚度为0.5-5Oz。
如图2所述,制备本发明低热阻LED灯的方法,包括以下步骤:
a)在绝缘层2上涂覆导热胶3,经过60-180℃的烘箱干燥出去有机溶剂,使导热胶3变成半固化状态;
b)在所述绝缘层2和导热胶3层上开设通孔4;通过先打孔的方式大大降低了对打孔精度的要求,有效降低了对导电基层的损坏,从而有效保证产品的成本率。
c)将步骤B中带导热胶3的绝缘层2与导电铜箔1进行压合;
d)在压合后的导电铜箔1上装配LED芯片5,所述的LED 芯片5设置在所述的通孔4内;这样有效降低LED芯片5与导电铜箔1之间的热阻,大大提高了散热效果
e)通过蚀刻的方法在导电铜箔1上蚀刻出电路。
本发明工艺方法简单,对打孔的精度要求小,加工方便。产品的成品率高散热效果好。
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