[发明专利]金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法

权利要求书

1.一种金属铜与镍硅化合物的叠层接触结结构，其特征在于包括下述第一、第二层薄膜依次迭合的两层薄膜结构，或者下述第一、第二、第三层薄膜依次迭合的三层薄膜结构；其中，第一层薄膜采用钽（Ta）材料，第二层薄膜采用氮化钽（TaN）材料，是铜（Cu）的扩散阻挡层，第三层采用钽（Ta）材料；第一层的钽材料与镍硅化合物以及介质层直接接触；该叠层触结结构记为或者Cu/TaN/Ta/NiSi或者Cu/Ta/TaN/Ta/NiSi。

2.一种金属铜与镍硅化合物的叠层接触结构的制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）、提供已经完成CMOS前段器件工艺、需要进行第一层互连通孔填充的CMOS样品，该样品已完成通孔的刻蚀，预备进行通孔的填充，通孔下部为裸露的镍硅化合物，通孔侧面为磷硅玻璃或硼磷硅玻璃； 

（2）、利用PVD技术在通孔中淀积钽，作为第一层扩散阻挡层；该钽层直接与镍硅化合物接触；

（3）、利用PVD技术在通孔中淀积氮化钽，作为第二层扩散阻挡层；

（4）、利用PVD技术在通孔中淀积铜籽晶层；

（5）、利用电镀技术在通孔中填充金属铜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于在步骤（3）之后、步骤（4）之前，利用PVD技术在通孔中淀积钽，作为第三层扩散阻挡层。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于步骤（2）中所述的钽层厚度为1~10nm。

5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述的氮化钽层厚度为3~10nm。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述的作为第三层扩散阻挡层的钽层厚度为1~10nm。