[发明专利]互连结构形成方法

权利要求书

1.一种互连结构形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有阻挡层、低介电常数层间介质层、覆盖介质层；

依次刻蚀所述覆盖介质层、低介电常数层间介质层，直至暴露所述阻挡层，形成沟槽；

去除所述覆盖介质层，直至暴露所述低介电常数层间介质层；

向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素。

2.依据权利要求1的互连结构形成方法，其特征在于，所述向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素包括：在去除所述覆盖介质层之后，向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素。

3.依据权利要求1的互连结构形成方法，其特征在于，所述向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素包括：在形成低介电常数层间介质层之后，形成覆盖介质层之前，向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素。

4.依据权利要求1的互连结构形成方法，其特征在于，所述低介电常数层间介质层由甲基二乙氧基硅烷和松油烯形成。

5.依据权利要求1至4任一项所述的互连结构形成方法，其特征在于，形成所述低介电常数层间介质层的步骤包括，对由甲基二乙氧基硅烷和松油烯形成的低介电常数层间介质层进行紫外光固化处理。

6.依据权利要求5的互连结构形成方法，其特征在于，向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素的方法是离子注入或者等离子体掺杂。

7.依据权利要求6的互连结构形成方法，其特征在于，向所述低介电常数层间介质层掺入的是碳原子或者含碳的分子。

8.依据权利要求7的互连结构形成方法，其特征在于，向所述低介电常数层间介质层掺入C₇H_x或者C₁₆H_x。

9.依据权利要求8的互连结构形成方法，其特征在于，采用离子注入的方法向所述的低介电常数层间介质层掺碳的工艺中，注入的能量为200eV-20keV，注入的剂量为1E13-1E16原子/平方厘米。

10.依据权利要求1的互连结构形成方法，其特征在于，还包括，去除与所述沟道位置对应的阻挡层，以及形成填充满所述沟槽的金属层。