[发明专利]具有模压的内部引线的引线框架

说明书

技术领域

本发明一般涉及半导体封装，并且更具体而言，涉及一种用于半导体器件的引线框架。

背景技术

引线框架型的半导体器件通常包括管芯键合焊盘、集成电路或附着到管芯键合焊盘的表面的管芯以及围绕管芯的一行或多行引线。所述管芯经由丝线键合工艺、利用丝线被电连接到引线。然后，管芯、引线和丝线被塑料模制化合物覆盖，并且暴露出引线的端部或底部，以允许外部电连接。

这种器件的一个问题是模制化合物可能与引线粘附不好，在这种情况下，模制化合物会与一个或多个引线分离，特别是当温度变化引起应力时。这个问题被称作剥离(delamination)。引线的尖端，是引线最靠近管芯的端部，并且附着或键合着键合丝线，是内部应力高的地方，并且经常是剥离开始的地方。

引线框架通常由铜合金形成，键合丝线常常由金形成。为改进丝线键合，引线的尖端常常覆盖有银。不幸的是，尽管模制化合物与铜之间键合得好，但是它与银之间键合不好。模制化合物和银涂层之间的可能发生的剥离会导致丝线键合失败。另外，由于铜引线和模制化合物具有不同的热膨胀系数(CTE)，引线尖端附近经常出现剪应力。这种剪应力也能够导致丝线键合连接失败。

图1是集成电路(IC或管芯)10附着到管芯键合焊盘12的横截面图。管芯10的丝线键合焊盘15通过丝线16被连接到引线14。如图中所示，丝线16附着在引线14的一个端部处。引线14的这个端部有时被模压成使得引线14包括凹陷18，其中附着键合丝线16。所述模压的凹陷18被涂覆或镀覆有银，以允许丝线与引线之间好的键合。然而，如上所述，引线尖端或凹陷18的区域是高应力区域，并且由于模制化合物与银之间粘附不好，剥离可能会发生在这个位置，这会导致丝线键合失败。

因此，有利的是，具有这样一种引线框架，其具有受剥离影响较小的内部引线。

附图说明

结合附图阅读将更好地理解下面优选实施例的具体描述。本发明通过示例来说明，但并不限于附图，其中相似的附图标记表示类似的元件。应当理解，附图没有依照比例绘制，并且为了便于理解发明进行了简化。

图1是传统键合丝线将集成电路管芯的丝线键合焊盘连接到引线框架的内部引线的横截侧面放大图。

图2是根据本发明实施例的引线框架的俯视放大图。

图3是根据本发明实施例的键合丝线将集成电路管芯的丝线键合焊盘连接到引线框架的内部引线的横截侧面放大图。

图4是根据本发明实施例、包括将集成电路管芯连接到的内部引线的键合丝线的集成电路器件的一部分的横截侧面放大图。

发明内容

在一个实施例中，本发明提供一种用于半导体器件的引线框架。引线框架包括大致矩形的外挡板和从所述挡板延伸出来的多个内部引线。所述内部引线设置在引线框架内，并且靠近被构造为接收集成电路管芯的管芯键合焊盘或者衬底。内部引线的远端是引线的与挡板间隔开的端部。远端具有尖端。每一内部引线的第一主表面包括在远端处的模压区域。模压区域与尖端隔开预定距离。模压区域与尖端的间隔在尖端处形成肩部。模压区域的内表面可以镀覆有银或其他金属或合金，这使与键合丝线之间有强键合，同时，肩部区域保持裸露，使得得到与用于覆盖集成电路管芯、键合丝线和内部引线的模制化合物之间的强键合。

在另一个实施例中，本发明提供一种集成电路器件，所述集成电路器件包括半导体管芯，其具有在它的表面上形成的多个管芯丝线键合焊盘以及环绕所述半导体管芯并与之隔开的多个内部引线。内部引线中的每一个具有在远端处的尖端，其紧邻半导体管芯。内部引线的第一主表面包括模压区域，所述模压区域与远端间隔开预定距离。多个键合丝线将管芯丝线键合焊盘和内部引线的各个引线的模压区域进行连接。每个键合丝线的一个端部被附着或键合到模压区域，并且键合丝线的其他端部被附着或键合到管芯丝线键合焊盘的各个管芯丝线键合焊盘。包封材料覆盖管芯丝线键合焊盘、键合丝线和模压区域。在一个实施例中，内部引线由铜形成，模压区域镀覆有银并且键合丝线由金形成。

具体实施方式

下面结合附图来阐述的具体描述是作为本发明目前优选实施例的描述，并非意图表现本发明可以实施的仅有形式。应当理解的是，可以通过意图涵盖在本发明的精神和范围内的不同实施例来实现相同或等效的功能。