[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽MOS结构半导体装置，包括：

沟槽内壁生长有钝化层，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电类型半导体材料体区；在第一导电类型半导体材料体区下部为第二导电类型半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电类型半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电类型半导体材料无源区。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的在沟槽边侧体区内源区下部漏区上部的无源区可以是多个相互分离的无源区，被垂直设置在沟槽边侧体区内，无源区与无源区之间为第一导电类型半导体材料体区。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的源区与无源区之间为第一导电类型半导体材料体区。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漏区与无源区之间为第一导电类型半导体材料体区。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充栅极介子为多晶硅。

6.如权利要求1所述的沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底上长有外延层的半导体材料进行体区杂质扩散，并进行扩散推进，在外延层上方形成体区；

2)在硅片表面形成硬掩模版，在待形成沟槽区表面去除硬掩模版；

3)在所形成窗口进行第二导电类型杂质扩散；

4)在所形成窗口一次刻蚀半导体材料形成沟槽；

5)注入第二导电类型杂质，然后退火；

6)进行二次刻蚀半导体材料，形成更深的沟槽；

7)在沟槽内壁的半导体材料表面生长钝化层；

8)进行栅极介子多晶硅淀积，对多晶硅进行回刻蚀；

9)进行源区和体区表面钝化层腐蚀；

10)表面淀积金属，将源极、体区和栅极并联形成器件阳极。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的体区杂质扩散使用注入方法实现。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的注入分为两次进行，一次注入推进为形成体区，二次注入为形成体区表面的欧姆接触区。

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的半导体材料的刻蚀为干法刻蚀。

10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的一次刻蚀半导体材料的深度小于体区的结深。