[发明专利]一种Sn-Si靶材

说明书

技术领域

本发明属于靶材技术领域，涉及一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Sn-Si靶材。

背景技术

对溅射类镀膜，简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。

溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。 溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差（因为是脉冲溅射），晶向（外沿）生长的控制也比较一般。 以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围（低压气体氛围）、基片温度、激光器功率、脉冲频率和溅射时间，对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。

现有的溅射靶材有金属靶材：如钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶Pb等；有合金靶材：如铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi；有陶瓷靶材：如一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2，三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、五氧化二钽靶Ta2O5。

上述靶材价格高，耐磨性能差。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点，本发明提供一种制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的Sn-Si靶材。

本发明解决其技术问题所采用的技术方法是：一种Sn-Si靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Sn-Si靶材，它的化学组分和重量配比是：Sn为5-95%、Si为95-5%。

上述一种Sn-Si靶材的制备方法是，按照上述重量配比称取Sn粉末和Si粉末，将粒度范围为0-1000um的Sn粉末与Si粉末进行混合均匀后，在真空状况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为150-600℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。

本发明的有益效果是：采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进一步说明。

实施例1：称取重量比5%Sn粉末和重量比95%Si粉末，将粒度范围为0-200um的Sn粉末与Si粉末进行混合均匀后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为550℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。

实施例2：称取重量比50%Sn粉末和重量比50%Si粉末，将粒度范围为0-1000um的Sn粉末与Si粉末进行混合均匀后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为350℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。

实施例3：称取重量比75%Sn粉末和重量比25%Si粉末，将粒度范围为0-800um的Sn粉末与Si粉末进行混合均匀后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为300℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。

实施例4：称取重量比95%Sn粉末和重量比5%Si粉末，将粒度范围为0-600um的Sn粉末与Si粉末进行混合均匀后，在氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为180℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。

本发明采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。