[发明专利]一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法

权利要求书

1.一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在一半导体器件所包含的NMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第一应力膜，在半导体器件所包含的PMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第二应力膜，其中所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域；在覆盖重叠区域的绝缘氧化层薄膜及所述重叠区域进行刻蚀，形成贯穿绝缘氧化层薄膜及重叠区域的第一类通孔；之后，刻蚀覆盖PMOS器件、NMOS器件有源区之上的第一应力膜、第二应力膜及绝缘氧化层薄膜，并同时蚀刻覆盖NMOS晶体管栅电极的第一应力膜和覆盖PMOS晶体管栅电极的第二应力膜及绝缘氧化层薄膜，形成分别接触NMOS晶体管栅电极、PMOS晶体管栅电极、PMOS器件有源区、NMOS器件有源区第二类通孔。

2.根据权利要求1所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，所述第一应力膜为覆盖NMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层及其器件离子注入区域上的张应力膜。

3.根据权利要求1所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，所述第二应力膜为覆盖PMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层及其器件离子注入区域上的压应力膜。

4.根据权利要求1所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在覆盖所述第一应力膜、所述第二应力膜绝缘氧化层薄膜及绝缘氧化层薄膜上进行光刻。

5.根据权利要求4所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，之后，在覆盖所述第一应力膜、所述第二应力膜绝缘氧化层薄膜及绝缘氧化层薄膜上进行刻蚀。

6.根据权利要求5所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，最后，将刻蚀形成的第二类通孔进行清洗。

7.根据权利要求6所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，将所述第二类通孔进行第二次的光刻、刻蚀和清洗。

8.根据权利要求1所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在覆盖所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域上进行淀积。

9.根据权利要求8所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在覆盖所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域绝缘氧化层薄膜及其绝缘氧化层薄膜上进行光刻。

10.根据权利要求9所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，之后，在覆盖所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域绝缘氧化层薄膜及其绝缘氧化层薄膜上进行刻蚀。

11.根据权利要求10所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，最后，将刻蚀形成的第一类通孔进行清洗。

12.根据权利要求11所述用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，将所述第一类通孔进行第二次的光刻、刻蚀和清洗。