[发明专利]一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：

1）将Ga液滴放在氧化铝舟中，然后将ZnO粉和Sn粉按重量比10:2~10:3均匀混合后平铺在Ga源上面，将其覆盖住，将清洗后的镀有一层金膜的硅片镀金面朝下置于蒸发源正上方，硅片距离蒸发源的垂直距离约为5~6 mm；

2）将装有蒸发源和硅片的氧化铝舟推入管式炉中，然后在管式炉中充入200~300 ml/min的氩气，时间为5~10 min；

3）将炉温升至880~920℃后保温10~15 min，然后管式炉自然冷却至室温，期间充入流量为100~120 ml/min的氩气，取出硅片，硅片表面沉积有Ga掺杂ZnO纳米线。

2.如权利要求1所述的Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，其特征在于，Ga的掺杂含量为0.5~15 at.％，Sn的含量为0.5~6 at.%。

3.如权利要求1所述的Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，其特征在于，镀有金膜的硅片上获得的Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径为25~90 nm，长度为10~20 μm。