[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110101473.7 申请日: 2011-04-22
公开(公告)号: CN102683559A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 戴文婉;李育群;陈怡君 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括:

载体,具有凹槽;

发光二极管,设置于该凹槽的底部;

焊线,连接该发光二极管及该载体;以及

封装材料,覆盖该发光二极管及该焊线,该封装材料包括:

第一封装部,邻近于该凹槽的底部;及

第二封装部,邻近于该凹槽的开口,该第二封装部的硬度大于该第一封装部的硬度。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部完整包覆该焊线。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部的最小厚度大于该焊线的最大高度。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第二封装部密封该凹槽的开口。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部及该第二封装部皆为固态。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部为胶态,该第二封装部为固态。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部及该第二封装部邻接的表面为平面。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部及该第二封装部邻接的表面为弧面。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部及该第二封装部邻接的表面为锯齿状表面。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第一封装部及该第二封装部的材质相同。

11.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括:

提供一载体,该载体具有凹槽;

设置一发光二极管于该凹槽内;

以一焊线连接该发光二极管及该载体;

设置一封装材料于该凹槽内,以覆盖该发光二极管及该焊线;以及

以一能量加热邻近该凹槽的开口处的该封装材料,以使该封装材料形成一第一封装部及一第二封装部,该第一封装部邻近于该凹槽的底部,该第二封装部邻近该凹槽的开口,并使该第二封装部的硬度大于该第一封装部的硬度。

12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构的制造方法,其中加热该封装材料的步骤以一激光、一红外线或一紫外线聚焦于邻近该凹槽的开口处的该封装材料。

13.一种发光二极管封装结构,包括:

载体,具有凹槽;

发光二极管,设置于该凹槽的底部;

焊线,连接该发光二极管及该载体;以及

封装材料,覆盖该发光二极管及该焊线,该封装材料的硬度由该凹槽的底部逐渐向该凹槽的开口增加。

14.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括:

提供一载体,该载体具有凹槽;

设置一发光二极管于该凹槽内;

以一焊线连接该发光二极管及该载体;

设置一封装材料于该凹槽内,以覆盖该发光二极管及该焊线;以及

以一能量加热邻近该凹槽的开口处的该封装材料,以使该封装材料的硬度由该凹槽的底部逐渐向该凹槽的开口增加。

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