[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，且特别是涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。 

背景技术

随着显示科技的长足进步，发展出一种发光二极管(Light Emiting Doide，LED)。发光二极管是由半导体材料制成的固态发光元件。发光二极管被施加电流于半导体材料后，将使电子与空穴结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果。 

发光二极管属于冷性发光，其具有寿命长(达十万小时以上)、省电、耐震、适合量产、体积小及反应快等优点，使得发光二极管逐渐取代传统光源。 

发光二极管是通过封装制作工艺形成一发光二极管封装结构，如此可避免发光二极管受到外界的影响。然而，发光二极管封装结构在长时间使用下(或可靠度测试及加速衰老测试下)经常发现湿气渗入或焊线断裂的情况。这样的情况严重影响发光二极管技术的发展。 

发明内容

本发明目的在于提供一种发光二极管封装结构及其制造方法，其利用封装材料的设计来防止焊线断裂或湿气渗入等问题，使得发光二极管封装结构的信赖度得以有效提高。 

为达上述目的，根据本发明的一方面，提出一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括一载体、一发光二极管、一焊线及一封装材料。载体具有一凹槽。发光二极管设置于凹槽的底部。焊线连接发光二极管及载体。封装材料覆盖发光二极管及焊线。封装材料包括一第一封装部及一第二封装部。第一封装部邻近于凹槽的底部。第二封装部邻近于凹槽的开口，第二封 装部的硬度大于第一封装部的硬度。 

根据本发明的另一方面，提出一种发光二极管封装结构的制造方法。发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。提供一载体，载体具有一凹槽。设置一发光二极管于凹槽内。以一焊线连接发光二极管及载体。设置一封装材料于凹槽内，以覆盖发光二极管及焊线。以一能量加热邻近凹槽的开口处的封装材料，以使封装材料形成一第一封装部及一第二封装部。第一封装部邻近于凹槽的底部，第二封装部邻近凹槽的开口，此步骤并使第二封装部的硬度大于第一封装部的硬度。 

根据本发明的再一方面，提出一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括一载体、一发光二极管、一焊线及一封装材料。载体具有一凹槽。发光二极管设置于凹槽的底部。焊线连接发光二极管及载体。封装材料覆盖发光二极管及焊线，封装材料的硬度是由凹槽的底部逐渐向凹槽的开口增加。 

根据本发明的另一方面，提出一种发光二极管封装结构的制造方法。发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。提供一载体，载体具有一凹槽。设置一发光二极管于凹槽内。以一焊线连接发光二极管及载体。设置一封装材料于凹槽内，以覆盖发光二极管及焊线。以一能量加热邻近凹槽的开口处的封装材料，以使封装材料的硬度由凹槽的底部逐渐向凹槽的开口增加。 

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举各种实施例，并配合所附附图，作详细说明如下： 

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的示意图； 

图2为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图； 

图3为图2的步骤S105的示意图； 

图4为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的示意图； 

图5为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的示意图； 

图6为本发明第四实施例的发光二极管封装结构的示意图； 

图7为本发明第四实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。 

主要元件符号说明 

100、200、300、400：发光二极管封装结构 

110：载体 

110a：凹槽 

111：基板 

112：杯架 

120：发光二极管 

130：焊线 

140、240、340、440：封装材料 

141、241、341：第一封装部 

142、242、342：第二封装部 

600：激光枪 

700：透镜组 

D130：焊线的最大高度 

D141：第一封装部的最小厚度 

S1、S2、S3：邻接的表面 

S101～S105、S205：流程步骤 

具体实施方式