[发明专利]一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法

权利要求书

1.一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于，所述铁电薄膜电容包括：

下部电极；

设置于所述下部电极上的硅基底；

设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；

设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；

所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述硅基底与所述铁电薄膜电介质层之间设有导电缓冲层。

3.如权利要求2所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述导电缓冲层为金属薄膜或导电氧化物薄膜或由金属薄膜和导电氧化物薄膜组成的叠层薄膜。

4.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述下部电极由一种或多种金属和/或金属合金组成。

5.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述硅基底的掺杂浓度大于10¹⁶cm^-3。

6.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述铁电薄膜电介质层是由一种铁电材料组成的单相薄膜或由至少两种铁电材料组成的多相叠层薄膜。

7.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述铁电薄膜电介质层的厚度为0.1μm～2μm。

8.如权利要求1所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于：所述上部电极由一种或多种金属组成。

9.一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤（1） 将硅基底进行掺杂处理；

步骤（2） 在所述硅基底上形成铁电薄膜电介质层的工序；

步骤（3） 在所述铁电薄膜电介质层上形成上部电极的工序；

步骤（4） 在硅基底未结合有铁电薄膜电介质层的一侧形成下部电极层的工序；

步骤（5） 将经过上述步骤得到的结构进行合金化处理，形成金属或金属合金-硅欧姆接触，得到基于欧姆接触的铁电薄膜电容。

10.如权利要求9所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于：所述掺杂浓度大于10¹⁶cm^-3。

11.如权利要求9所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于：所述合金化处理的温度为300℃～550℃。

12.一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤（1） 将硅基底进行掺杂处理；

步骤（2） 在所述硅基底上形成金属薄膜或导电氧化物薄膜或由金属薄膜和导电氧化物薄膜组成的叠层薄膜作为导电缓冲层的工序；

步骤（3） 在所述导电缓冲层上形成铁电薄膜电介质层的工序；

步骤（4） 在所述铁电薄膜电介质层上形成上部电极的工序；

步骤（5） 在硅基底未结合有导电缓冲层的一侧形成下部电极层的工序；

步骤（6） 将经过上述步骤得到的结构进行合金化处理，形成金属或金属合金-硅欧姆接触，得到基于欧姆接触的铁电薄膜电容。

13.如权利要求12所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于：所述掺杂浓度大于10¹⁶cm^-3。

14.如权利要求12所述的基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于：所述合金化处理的温度为300℃～550℃。