[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其特征在于，所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽，形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括：

在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断块的图案，所述阻断块位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间；

在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案，所述阻断沟槽位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻断块与所述源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述阻断块、源电极、漏电极和数据线的步骤具体包括：

在形成栅线、公共电极、栅电极、栅绝缘层和有源层图案的衬底基板上，形成数据线金属薄膜；

在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域，刻蚀所述数据线金属薄膜形成包括数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，并刻蚀所述有源层形成沟道图案；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻断块与所述有源层、源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述阻断块、有源层、源电极、漏电极和数据线的步骤具体包括：

在形成栅线、公共电极、栅电极和栅绝缘层的衬底基板上，形成有源层薄膜和数据线金属薄膜；

在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度大于所述光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述光刻胶部分保留区域对应薄膜晶体管有源层之上的沟道区域，所述光刻胶完全保留区域对应有源层、源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域对应的所述数据线金属薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域对应的所述数据线金属薄膜，并刻蚀所述有源层形成沟道图案；

去除剩余的光刻胶。

6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极连接线通过公共电极连接过孔连通所述公共电极，所述公共电极连接过孔与所述阻断沟槽同步形成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述公共电极连接过孔与阻断沟槽的步骤具体包括：

在形成阻断块图案的衬底基板上，形成钝化层；

在所述钝化层之上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光显影之后，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全去除区域包括对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述光刻胶完全保留区域对应其他区域；其中，所述对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案对应阻断块的第二部分以及所述阻断块与像素电极之间的部分区域；

刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的钝化层和栅绝缘层形成包括所述阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述阻断沟槽包括位于所述阻断块的第二部分之下的空间，所述阻断块的第一部分位于所述栅绝缘层之上、夹设在所述钝化层与栅绝缘层之间。