[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

图1A为现有TFT-LCD的阵列基板的局部俯视结构示意图，图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图1A和图1B所示，TFT-LCD的阵列基板包括衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关、公共电极12和像素电极11；TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，漏电极8通过钝化层过孔连接像素电极11，有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间，栅电极3和有源层6之间为栅绝缘层4，像素电极11与漏电极8之间为钝化层9。其中，栅线2、数据线5、栅电极3、源电极7、漏电极8和像素电极11等图案统称为导电图案，栅绝缘层4和钝化层9统称为绝缘层。为了提高公共电极的均匀性，可以采用矩阵公共电极(Matrix Vcom)方法提高显示质量，如图1A和图1B所示，在形成像素电极的过程中，可以采用与像素电极相同的材料如：ITO形成公共电极连接线14通过公共电极连接过孔15连通公共电极12。其中，在TN模式下，公共电极可以为类似于条状的图案，通常也叫做公共电极线；在AD-SDS或IPS模式下公共电极可以为整块图案。高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

在刻蚀过程中，连通公共电极连接线14与像素电极11之间容易产生像素电极的材料残留的现象，导致像素电极11与公共电极12短路，引起TFT-LCD显示不良。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以减少因像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路，提高液晶显示器的良品率。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其中，所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽，形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括：

在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断块的图案，所述阻断块位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间；

在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案，所述阻断沟槽位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

本发明又提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，数据线和栅线横纵交叉围设形成多个像素单元，每个像素单元中包括像素电极、栅电极、源电极、漏电极、有源层和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其中：

所述公共电极连接线与所述像素电极之间形成有阻断块和阻断沟槽，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

本发明还提供一种液晶显示器，包括液晶面板，其特征在于：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明提供的任一所述的阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。