[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一晶片；

一第二晶片，设置于该第一晶片之上，其中该第二晶片的一侧面为一化学蚀刻表面；以及

一连结块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间而使该第一晶片与该第二晶片彼此连结。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片的厚度大于该第二晶片的厚度。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片的一侧面为一切割表面。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二晶片的该侧面的粗糙度小于该第一晶片的一侧面的粗糙度。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二晶片的该侧面的粗糙度大于该第一晶片的一侧面的粗糙度。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片的一侧面为一化学蚀刻表面。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该连结块体的最靠近该第二晶片的该侧面的一侧面与该第二晶片的该侧面共平面。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该连结块体的最靠近该第二晶片的该侧面的一侧面不与该第二晶片的该侧面共平面。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片的宽度大于该第二晶片的宽度。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一保护层，设置于该第二晶片之上；以及

一导电凸块，设置于该第二晶片之上，且穿过该保护层而与该第二晶片上的一导电区电性连接。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

提供一第二基底；

于该第一基底的一上表面及/或该第二基底的一下表面上形成至少一连结块体；

通过该连结块体而将该第二基底接合于该第一基底之上；

于该第二基底的一上表面上形成一第一保护层，该第一保护层具有一开口，该开口露出该第二基底的一预定切割区；

以该第一保护层为掩膜，蚀刻移除该第二基底位于该预定切割区之中的部分以形成露出该第一基底的一穿孔；以及

部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤包括使用一切割刀片将该第一基底切穿。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该切割刀片的宽度小于该预定切割区的宽度。

14.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤包括以蚀刻制程移除该第一基底而使该第一基底分离为多个部分。

15.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该连结块体延伸进入该预定切割区之中。

16.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该连结块体不延伸进入该预定切割区。

17.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该连结块体的一侧面与该预定切割区的一边界共平面。

18.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

于该第二基底之上形成一第二保护层，该第二保护层具有一开口，该开口露出该第二基底上的一导电区；以及

于露出的该导电区上形成一导电凸块。

19.根据权利要求18所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该第二保护层及该导电凸块的形成步骤进行于蚀刻移除该第二基底的步骤之后，且进行于部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤之前。

20.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括在形成该穿孔之后，移除该第一保护层。