[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体及其形成方法，特别是有关于堆叠有至少两晶片的晶片封装体及其形成方法。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中以免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

由于晶片尺寸与厚度的持续缩小化，晶片封装体的制程难度随之提升。避免晶片于封装制程中受到损坏并提高晶片封装体的可靠度与结构稳定性已成为重要课题。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括：一第一晶片；一第二晶片，设置于该第一晶片之上，其中该第二晶片的一侧面为一化学蚀刻表面；以及一连结块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间而使该第一晶片与该第二晶片彼此连结。

本发明所述的晶片封装体，该第一晶片的厚度大于该第二晶片的厚度。

本发明所述的晶片封装体，该第一晶片的一侧面为一切割表面。

本发明所述的晶片封装体，该第二晶片的该侧面的粗糙度小于该第一晶片的一侧面的粗糙度。

本发明所述的晶片封装体，该第二晶片的该侧面的粗糙度大于该第一晶片的一侧面的粗糙度。

本发明所述的晶片封装体，该第一晶片的一侧面为一化学蚀刻表面。

本发明所述的晶片封装体，该连结块体的最靠近该第二晶片的该侧面的一侧面与该第二晶片的该侧面共平面。

本发明所述的晶片封装体，该连结块体的最靠近该第二晶片的该侧面的一侧面不与该第二晶片的该侧面共平面。

本发明所述的晶片封装体，该第一晶片的宽度大于该第二晶片的宽度。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一保护层，设置于该第二晶片之上；以及一导电凸块，设置于该第二晶片之上，且穿过该保护层而与该第二晶片上的一导电区电性连接。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一第一基底；提供一第二基底；于该第一基底的一上表面及/或该第二基底的一下表面上形成至少一连结块体；通过该连结块体而将该第二基底接合于该第一基底之上；于该第二基底的一上表面上形成一保护层，该保护层具有一开口，该开口露出该第二基底的一预定切割区；以该保护层为掩膜，蚀刻移除该第二基底位于该预定切割区之中的部分以形成露出该第一基底的一穿孔；以及部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤包括使用一切割刀片将该第一基底切穿。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该切割刀片的宽度小于该预定切割区的宽度。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤包括以蚀刻制程移除该第一基底而使该第一基底分离为多个部分。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该连结块体延伸进入该预定切割区之中。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该连结块体不延伸进入该预定切割区。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该连结块体的一侧面与该预定切割区的一边界共平面。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括：于该第二基底之上形成一第二保护层，该第二保护层具有一开口，该开口露出该第二基底上的一导电区；以及于露出的该导电区上形成一导电凸块。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该第二保护层及该导电凸块的形成步骤进行于蚀刻移除该第二基底的步骤之后，且进行于部分移除该穿孔所露出的该第一基底以形成至少一晶片封装体的步骤之前。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括在形成该穿孔之后，移除该第一保护层。

本发明可使晶片封装体具有较佳的可靠度，并可减轻封装制程中对晶片的损坏风险。

附图说明

图1A-1F显示根据本发明一实施例的晶片封装体制程的剖面图。

图2A-2F显示根据本发明一实施例的晶片封装体制程的剖面图。

图3显示根据本发明一实施例的晶片封装体制程的剖面图。

附图中符号的简单说明如下：

100：基底(晶片)；100a、100b：表面；100E：侧面；102：连结块体；102a：侧面；104：导电区；106：保护层；108：穿孔；110：保护层；112：导电凸块；130：基底(晶片)；130D：侧面；140：切割刀片；R：预定切割区。

具体实施方式