[发明专利]一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法

权利要求书

1.一种应变动态随机存储器存储单元，包含由半导体衬底(11)，浅槽隔离区(5)，由开关MOS管的源(2)、开关MOS管的漏(3)、开关MOS管的栅介质层(15)和栅(6)组成的开关MOS管(9)和由存储单元电容的下极板(4)、存储单元电容的上极板(7)和绝缘介质层(16)组成的单元电容(10)，其特征是在制作单元电容(10)的过程中，在单元电容(10)的下极板(4)和上极板(7)中引入应变技术，在单元电容(10)所在区域引入了应力。

2.制作权利要求1应变动态随机存储器存储单元的方法，其特征是在制作过程中与常规的动态随机存储器存储单元相比，仅在单元电容部分采用应变技术，在本实施例中采用了应变硅技术，其制作步骤如下：

步骤1.衬底制备：制作P型硅衬底(11)，在P型衬底(11)上生长STI隔离槽(5)和氧化层(12)；

步骤2.有源区定义：在步骤1所得器件上涂负光刻胶(13)，对有源区(14)曝光，刻蚀有源区(14)；

步骤3.开关管制备：对有源区进行沟道调制参杂，干法生长开关管栅氧(15)，再生长多晶硅栅(6)，多晶硅栅掺杂；刻蚀多晶硅栅(6)；

步骤4.单元电容制备：对开关MOS管源(2)漏(3)和单元电容下极板(4)n⁺掺杂；干法生长单元电容绝缘栅介质层(16)，淀积单元电容上极板多晶硅层(7)，刻蚀上极板多晶硅层(7)和氧化层(12)；

步骤5.淀积氮化硅膜：在单元电容区淀积张应力氮化硅层(8)，在紫外光照射下高温退火；

步骤6.连线：刻蚀氮化硅层(8)，生长场氧(23)，刻接触孔(24)，Al连线。