[发明专利]半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 201110102990.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102184847B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 pmos 晶体管 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；
刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；
在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；
进行热氧化处理，使顶层硅边缘向上弯曲。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理的时间范围在5秒-4小时、温度范围在700-1050摄氏度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理工艺在炉热管中进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述顶层硅的方法是干法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘埋层的材料为氧化硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘氧化层的材料为氧化硅。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成绝缘氧化层的方法是快速热氧化处理。
8.一种半导体结构，包括绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅，其特征在于，所述顶层硅边缘向上弯曲。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘埋层的材料是氧化硅。
10.一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；
刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；
在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；
进行热氧化处理，使顶层硅边缘向上弯曲；
在所述顶层硅上依次形成栅介质层和多晶硅栅极；
在所述多晶硅栅极两侧的顶层硅上形成侧墙；
在所述多晶硅栅极和侧墙两侧的顶层硅内形成源/漏极。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理的时间范围在5秒-4小时、温度范围在700-1050摄氏度。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理工艺在炉热管中进行。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，刻蚀所述顶层硅的方法是干法刻蚀。
14.一种PMOS晶体管结构，包括绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；在所述顶层硅上依次形成有栅介质层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极两侧形成有侧墙；在所述多晶硅栅极和侧墙两侧的顶层硅中形成有源/漏极，其特征在于，所述顶层硅边缘向上弯曲。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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