[发明专利]UMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110102996.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102184957A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | umos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有外延层，所述外延层的表面形成有掺杂阱，所述掺杂阱和所述外延层的掺杂类型相反；
形成沟槽，所述沟槽贯穿所述掺杂阱，并部分位于所述外延层内；
形成覆盖所述掺杂阱和沟槽的栅介质层以及填充满所述沟槽的多晶硅层；
对所述多晶硅层进行刻蚀处理，直至暴露栅介质层，形成栅电极层；
在所述掺杂阱内形成源区，所述源区位于栅电极层两侧。
2.依据权利要求1所述的UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：
在对所述多晶硅层进行刻蚀处理之前，对所述多晶硅层进行平坦化处理，直至多晶硅层位于掺杂阱表面的部分的厚度为500-2500埃。
3.依据权利要求2所述的UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在形成源区之前，还包括：去除位于掺杂阱表面的部分厚度的栅介质层，去除工艺后，位于掺杂阱表面的栅介质层的厚度为150-250埃。
4.依据权利要求2所述的UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体基底和外延层的掺杂类型为N型，所述掺杂阱的掺杂类型为P型，所述源区的掺杂类型为N型。
5.依据权利要求4所述的UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述源区的掺杂元素为砷。
6.依据权利要求1所述的UMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料是二氧化硅。
7.依据上述各项权利中任意一项所提供的UMOS晶体管的形成方法所形成的UMOS晶体管，包括：半导体基底，所述半导体基底表面形成有外延层，所述外延层的表面形成有掺杂阱，所述掺杂阱和所述外延层的掺杂类型相反；其特征在于，还包括：
沟槽，所述沟槽贯穿所述掺杂阱，并部分位于所述外延层内；
栅介质层，覆盖所述沟槽的底部和侧壁，且覆盖掺杂阱的表面；
栅电极，形成于所述栅介质层的表面且填满所述沟槽；
源区，位于所述掺杂阱内且位于所述栅电极层两侧。
8.依据权利要求7所述的UMOS晶体管，其特征在于，还包括：体区，形成于所述掺杂阱内，其掺杂类型与所述掺杂阱相同。
9.依据权利要求7所述的UMOS晶体管，其特征在于，形成源区之前，去除部分厚度的栅介质层，使得栅介质层位于掺杂阱表面的部分的厚度是150-250埃。
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