[发明专利]半导体器件制作方法和SiGe HBT晶体管制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括：CMOS衬底和HBT集电区，所述HBT集电区与所述CMOS衬底之间包括隔离结构，所述CMOS衬底的上表面与所述HBT集电区的上表面齐平；

在所述衬底上形成栅介电层；

在所述栅介电层上形成第一多晶硅栅层和第二多晶硅栅层，所述第一多晶硅栅层位于所述HBT集电区对应的部分或全部栅介电层上；所述第二多晶硅栅层位于所述CMOS衬底对应的部分栅介电层上，作为栅电极；

在所述栅电极的两端分别形成隔离侧壁；

在上述结构的整个上表面依次形成第一氧化层和阻挡层；

依次去除所述HBT集电区上的部分阻挡层及其下的第一氧化层、第一多晶硅栅层和栅介电层，形成露出HBT集电区上表面的第一沟槽；且依次去除所述栅电极两侧的源/漏区域上的阻挡层、第一氧化层和栅介电层，形成露出源/漏区域的第二沟槽和第三沟槽；

在所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中形成SiGe层，分别作为基区、源抬高区和漏抬高区；

在所述基区上形成多晶硅发射区；

依次去除HBT集电区两端上的部分阻挡层及其下的第一氧化层，至露出所述HBT集电区两端上的部分第一多晶硅栅层的上表面，保留包围所述多晶硅发射区的阻挡层及其下的第一氧化层，形成SiGe HBT晶体管；且依次去除CMOS衬底上的阻挡层和第一氧化层，露出所述CMOS衬底上的源抬高区、漏抬高区和栅电极的上表面，形成CMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，还包括：在所述第二多晶硅栅层的两端分别形成隔离侧壁时，在所述第一多晶硅栅层的两端也分别形成隔离侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一沟槽中形成SiGe层后，在所述第一沟槽的侧壁形成第二氧化层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述形成SiGe层是采用选择性外延生长方法实现的。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述选择性外延生长方法包括：分子束外延、超高真空化学气相沉积、低压化学气相沉积和减压化学气相沉积中的任一种。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述减压化学气相沉积包括：

对形成SiGe层前的结构进行清洗，去除其上的杂质；

将清洗后的形成SiGe层前的结构放入减压化学气相沉积反应腔体内，对所述减压化学气相沉积反应腔体进行加热和减压且同时向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气，使所述减压化学气相沉积反应腔体的温度保持在550℃～1100℃，压强保持在1～20托；

向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气、硅基气体、锗基气体、掺杂气体和选择性气体，直至得到预期厚度的SiGe层，其中：所述硅基气体包括：SiH₄、SiH₂Cl₂和Si₂H₆中的一种或几种；所述锗基气体包括：GeH₄；所述选择性气体包括：HCl；所述掺杂气体包括：B₂H₆、PH₃或AsH₃。

7.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，还包括：在露出所述CMOS衬底上的源抬高区、漏抬高区和栅电极的上表面后，对所述源抬高区和漏抬高区进行离子注入，形成源/漏极。

8.一种SiGe HBT晶体管制作方法，其特征在于，包括：

提供包括HBT集电区的衬底；

在所述HBT集电区上依次形成栅介电层、多晶硅栅层、第一氧化层和阻挡层；

依次去除所述HBT集电区上的部分阻挡层及其下的第一氧化层、多晶硅栅层和栅介电层，形成露出HBT集电区上表面的沟槽；

在所述沟槽中形成SiGe层，作为基区；

在所述基区上形成多晶硅发射区；

依次去除HBT集电区两端上的部分阻挡层及其下的第一氧化层，至露出所述HBT集电区两端上的部分多晶硅栅层的上表面，保留包围所述多晶硅发射区的阻挡层及其下的第一氧化层，形成SiGe HBT晶体管。