[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110104317.6 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760652A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 蒋葳;于伟泽;张亚楼;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成非晶态的伪栅极；
使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；
在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，形成所述非晶态的伪栅极的步骤包括，在所述衬底上形成多晶硅伪栅极，在所述多晶硅伪栅极上形成盖层和层间介质层，平坦化所述层间介质层和盖层直至露出所述多晶硅伪栅极，进行非晶化离子注入以将所述多晶硅伪栅极转化为所述非晶态的伪栅极。
3.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中，所述非晶化离子注入的种类包括Ge、Si、B、As、P或其组合。
4.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中，所述非晶化离子注入剂量范围从1×1015至1×1017cm-2。
5.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中，所述盖层和/或所述层间介质层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其中，所述盖层和所述层间介质层为刻蚀选择比高的不同材料。
7.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中，使用CVD形成所述多晶硅伪栅极，控制CVD温度高于625℃。
8.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，形成所述非晶态的伪栅极的步骤包括，控制CVD温度以形成非晶态的伪栅极。
9.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中，所述非晶态的伪栅极材质包括非晶硅、非晶锗、非晶锗硅或其组合。
10.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中，所述CVD形成非晶态的伪栅极的温度低于580℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
