[发明专利]移位寄存器有效
申请号: | 201110104737.4 | 申请日: | 2011-04-22 |
公开(公告)号: | CN102136245A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 陈忠君 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 | ||
1.一种移位寄存器,该移位寄存器接收一前级输出信号以产生一前级供应信号,并根据该前级供应信号而将一输入信号输出为一本级输出信号的极限值,该移位寄存器包括:
一启动控制电路,接收该前级输出信号并提供相对应于该前级输出信号的一启动控制信号;
一电位提升电路,接收一第一工作电压、该前级供应信号与该启动控制信号,该电位提升电路利用电容耦合效应以变化该前级供应信号的电压值而产生一输出控制信号;以及
一输出电路,电性连接至该电位提升电路、该启动控制电路与该输入信号,且该输出电路根据该电位提升电路所产生的该输出控制信号而决定何时将该输入信号输出为该本级输出信号的极限值。
2.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于:该输出电路包括一晶体管,该晶体管接收该输入信号与该输出控制信号,且该晶体管根据该输出控制信号而决定何时将该输入信号输出为该本级输出信号的极限值。
3.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于该电位提升电路包括:
一第一晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第一晶体管的控制端接收该前级供应信号,该第一晶体管的第一通路端接收该第一工作电压,且该第一晶体管由该前级供应信号控制是否使该第一工作电压通过该第一晶体管而传递到该第一晶体管的第二通路端;
一第二晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第二晶体管的控制端接收该启动控制信号,该第二晶体管的第一通路端电性连接至该第一晶体管的第二通路端,该第二晶体管的第二通路端接收一第二工作电压,且该第二晶体管由该启动控制信号控制是否使该第二工作电压通过该第二晶体管而传递到该第二晶体管的第一通路端;
一第三晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第三晶体管的控制端接收该前级供应信号,该第三晶体管的第一通路端接收该第一工作电压,且该第三晶体管由该前级供应信号控制是否使该第一工作电压通过该第三晶体管而传递到该第三晶体管的第二通路端并成为该输出控制信号;以及
一第四晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第四晶体管的控制端电性连接至该第三晶体管的第二通路端以接收该输出控制信号,该第四晶体管的第一通路端接收该第一工作电压,该第四晶体管的第二通路端接收该前级供应信号,且该第四晶体管由该输出控制信号控制是否使该第一工作电压通过该第四晶体管而传递到该第四晶体管的第二通路端。
4.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于该电位提升电路包括:
一第一晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第一晶体管的控制端接收该前级供应信号,该第一晶体管的第一通路端接收该第一工作电压,且该第一晶体管由该前级供应信号控制是否使该第一工作电压通过该第一晶体管而传递到该第一晶体管的第二通路端并成为该输出控制信号;
一第二晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第二晶体管的控制端接收该启动控制信号,该第二晶体管的第一通路端电性连接至该第一晶体管的第二通路端,该第二晶体管的第二通路端电性连接至该本级输出信号,且该第二晶体管导通与否通过该启动控制信号控制;
一第三晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第三晶体管的控制端电性连接至该第一晶体管的第二通路端以接收该输出控制信号,该第三晶体管的第一通路端接收该第一工作电压,该第三晶体管的第二通路端接收该前级供应信号,且该第三晶体管由该输出控制信号控制是否使该第一工作电压通过该第三晶体管而传递到该第三晶体管的第二通路端;以及
一第四晶体管,包括控制端、第一通路端与第二通路端,该第四晶体管的控制端接收该启动控制信号,该第四晶体管的第一通路端电性连接至该本级输出信号,该第四晶体管的第二通路端接收一第二工作电压,且该第四晶体管导通与否通过该启动控制信号控制。
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