[发明专利]移位寄存器

说明书

技术领域

本发明是有关于移位寄存器的电路结构。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-sil icon，LTPS)液晶显示器设计是目前消费性产品开发的主流，主要应用于高度整合与高画质显示器。因应在显示器装置降低成本与窄化边框的趋势，将栅极驱动电路内建于显示器装置已是设计趋势。

传统动态式移位寄存器(Dynamic Shift Register)利用驱动晶体管的栅极电位先行预充到线性区导通状态，再将栅极预充电压浮接并利用时序脉冲信号的电位移动，连带将原先的预充电位进行电压位准的移动，使移位寄存器输出能达到全范围的电压位准。

然而，由于传统动态式移位寄存器中的预充电位控制电路在提供栅极预充电压的过程中会导致损失临界电压，而在低温多晶硅工艺上的临界电压变异度相当大，所以会严重影响到移位寄存器的输出电路输出的驱动能力。

发明内容

本发明的目的的一是提供一种移位寄存器，以补偿临界电压进而达成增强输出电路输出的驱动能力。

具体地，本发明实施例提出的一种移位寄存器接收前级输出信号以产生前级供应信号，并根据前级供应信号而将输入信号输出为本级输出信号的极限值。本实施中，移位寄存器包括：启动控制电路、电位提升电路以及输出电路。其中，启动控制电路接收前级输出信号并提供相对应于前级输出信号的启动控制信号；电位提升电路接收第一工作电压、前级供应信号与启动控制信号，利用电容耦合效应以变化前级供应信号的电压值而产生输出控制信号；输出电路电性连接至电位提升电路、启动控制电路与输入信号，且输出电路根据电位提升电路所产生的输出控制信号而决定何时将输入信号输出为本级输出信号的极限值。

在本发明的一实施例中，上述的输出电路包括晶体管，该晶体管接收输入信号与输出控制信号，且晶体管根据输出控制信号而决定何时将输入信号输出为本级输出信号的极限值。

在本发明的一实施例中，上述的电位提升电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管。其中，第一晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第一晶体管的控制端接收前级供应信号，第一晶体管的第一通路端接收第一工作电压，且第一晶体管由前级供应信号控制是否使第一工作电压通过第一晶体管而传递到第一晶体管的第二通路端。第二晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第二晶体管的控制端接收启动控制信号，第二晶体管的第一通路端电性连接至第一晶体管的第二通路端，第二晶体管的第二通路端接收第二工作电压，且第二晶体管由启动控制信号控制是否使第二工作电压通过第二晶体管而传递到第二晶体管的第一通路端。第三晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第三晶体管的控制端接收前级供应信号，第三晶体管的第一通路端接收第一工作电压，且第三晶体管由前级供应信号控制是否使第一工作电压通过第三晶体管而传递到第三晶体管的第二通路端并成为输出控制信号。第四晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第四晶体管的控制端电性连接至第三晶体管的第二通路端以接收输出控制信号，第四晶体管的第一通路端接收第一工作电压，第四晶体管的第二通路端接收前级供应信号，且第四晶体管由输出控制信号控制是否使第一工作电压通过第四晶体管而传递到第四晶体管的第二通路端。

在本发明的另一实施例中，上述的电位提升电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管。其中，第一晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第一晶体管的控制端接收前级供应信号，第一晶体管的第一通路端接收第一工作电压，且第一晶体管由前级供应信号控制是否使第一工作电压通过第一晶体管而传递到第一晶体管的第二通路端并成为输出控制信号。第二晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第二晶体管的控制端接收启动控制信号，第二晶体管的第一通路端电性连接至第一晶体管的第二通路端，第二晶体管的第二通路端电性连接至本级输出信号，且第二晶体管导通与否通过启动控制信号控制。第三晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第三晶体管的控制端电性连接至第一晶体管的第二通路端以接收输出控制信号，第三晶体管的第一通路端接收第一工作电压，第三晶体管的第二通路端接收前级供应信号，且第三晶体管由输出控制信号控制是否使第一工作电压通过第三晶体管而传递到第三晶体管的第二通路端。第四晶体管包括控制端、第一通路端与第二通路端；第四晶体管的控制端接收启动控制信号，第四晶体管的第一通路端电性连接至本级输出信号，第四晶体管的第二通路端接收第二工作电压，且第四晶体管导通与否通过启动控制信号控制。