[发明专利]一种发光膜、其制备方法和应用

说明书

技术领域

本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种发光膜、其制备方法和应用。

背景技术

薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。ZnO在室温下的禁带宽度为3.36eV，激子结合能高达60meV，因此具备了发射蓝光或近紫外光的优越条件，ZnO有很高的导电和导热性能，化学性质非常稳定，材料来源又十分丰富，用它来制备短波长发光薄膜必然具有高的工作稳定性和较低的价格，有极大的应用价值。但是，现有方法制备的发光薄膜发光效率较低，不能适应商业需求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种发光膜，解决现有技术中发光膜发光效率低的技术问题。以及一种发光膜制备方法和应用。

本发明实施例是这样实现的，

一种发光膜，包括氧化锌膜，该氧化锌膜中掺杂有二价氧化铕和氧化锂，该二价氧化铕的质量百分含量为0.5-5％，该氧化锂的质量百分含量为0.1-3％。

以及，

一种发光膜制备方法，包括如下步骤：

将氧化锌、二价氧化铕及氧化锂混合，得到混合物，该混合物中二价氧化铕的质量百分含量为0.5-5％，氧化锂的质量百分含量为0.1-3％，将该混合物烧结后得到溅射靶材；

在基靶间距为50-90毫米、衬底温度为300-600℃、工作气体为氢气与惰性气体的混合气体，气体流量为15-30sccm、压强为0.2-4.5Pa条件下将该溅射靶材进行溅射处理，得到发光膜前体；

将该发光膜前体在温度为500-800℃的真空环境中进行退火处理1-3小时，得到发光膜。

本发明实施例进一步提供上述发光膜在阴极射线管、场致发光显示器件、电致发光显示器件中的应用。

本发明实施例发光膜，通过在氧化锌中掺杂二价氧化铕和氧化锂，以氧化锌为发光基材，以二价氧化铕为发光中心，同时，氧化锂在发光过程中产生大量空穴，使发光薄膜的发光效率有显著提升。本发明实施例制备方法，操作简单、成本低廉，适于工业化生产。

附图说明

图1是本发明实施例发光膜的激发光谱图；

图2是本发明实施例发光膜发光强度变化图；

图3是本发明实施例发光膜发光峰位变化图；

图4是本发明实施例和对比例发光膜激发光谱对比图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种发光膜，包括氧化锌膜，该氧化锌膜中掺杂有二价氧化铕和氧化锂，该二价氧化铕的质量百分含量为0.5-5％，该氧化锂的质量百分含量为0.1-3％。

具体地，该发光膜包括相混掺杂、均匀混合的氧化锌、二价氧化铕及氧化锂；该氧化锌作为发光膜的基材，二价氧化铕和氧化锂掺杂在氧化锌之中；从结构上看，该氧化锌构成氧化锌膜，二价氧化铕和氧化锂掺杂在该氧化锌膜之中，形成本发明实施例的发光膜。

本发明实施例发光膜，以氧化锌为发光基质，Eu(二价氧化铕)为发光中心，在激发条件下发光；通过掺杂锂，在发光过程中，锂在发光膜中产生大量的空穴，该空穴在发光膜中和电子复合，形成激子发光，实现了发光效率的显著提升。

具体地，该发光膜中，二价氧化铕的质量百分含量(二价氧化铕的质量与氧化锌、二价氧化铕及氧化锂质量之和的比)为0.5-5％，优选为1.5-2.5％，例如2.5％；

该发光膜中，氧化锂的质量百分含量(氧化锂的质量与氧化锌、二价氧化铕及氧化锂质量之和的比)为0.1-3％，优选0.5-1％，例如1％；

该发光膜中，氧化锌的质量百分含量(氧化锌的质量与氧化锌、二价氧化铕及氧化锂质量之和的比)为92-99.4％；

该发光膜的厚度为30-300纳米。

本发明实施例发光膜，通过在氧化锌中掺杂二价氧化铕、氧化锂，实现了发光膜发光效率的显著提升；请参阅图1，图1显示本发明一种实施方式的发光膜在激发波长为325纳米情况下PL光谱图，从该图1中可以看出，该发光膜经过激发而发光，在波长大约610纳米处有最大强度的发光；