[发明专利]发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

封装基底；

发光二极管芯片，安装在所述封装基底上；

波长转换层，当从上面观看所述发光二极管芯片时由所述发光二极管芯片形成的表面被定义为所述发光二极管芯片的上表面时，所述波长转换层被形成为覆盖所述发光二极管芯片的所述上表面的至少一部分，

其中，所述波长转换层被形成为不超出所述发光二极管芯片的所述上表面的区域，且所述波长转换层包括与所述发光二极管芯片的所述上表面平行的平坦表面和连接所述发光二极管芯片的所述上表面的边缘的弯曲表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：光反射层，形成在所述封装基底上，以围绕所述发光二极管芯片的侧面。

3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，所述光反射层由包括TiO₂的材料制成。

4.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：光分布层，覆盖所述波长转换层和所述光反射层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，所述光分布层由包括SiO₂的材料制成。

6.根据权利要求4所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：阻挡件，形成在所述封装基底上，以界定用于将所述发光二极管芯片、所述光反射层和所述光分布层容纳在其中的腔。

7.根据权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，所述阻挡件由包括树脂的材料制成。

8.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：透明覆盖层，覆盖所述发光二极管芯片。

9.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述封装基底由包括陶瓷的材料制成。

10.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述波长转换层由包含透明树脂和磷光体的材料制成。

11.根据权利要求10所述的发光二极管封装件，其中，所述磷光体与所述透明树脂的重量比为2∶1或大于2∶1。

12.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片包括：

结构支撑层，由导电材料制成；

光发射结构，形成在所述结构支撑层的一个表面上，并包括p型半导体层、有源层和n型半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管封装件，其中，所述光发射结构形成在所述结构支撑层的一个表面的一部分上，所述发光二极管芯片的所述上表面包括所述光发射结构的一个表面和所述结构支撑层的一个表面的没有形成所述光发射结构的其它剩余区域。

14.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片包括：

生长基底；

光发射结构，形成在所述生长基底的一个表面上，并包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，

其中，所述有源层和所述p型半导体层形成在所述n型半导体层的一个表面的一部分上。

15.根据权利要求14所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片的所述上表面包括所述p型半导体层的一个表面以及所述n型半导体层的一个表面的没有形成所述有源层和所述p型半导体层的其它剩余区域。

16.根据权利要求14所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片的所述上表面是所述生长基底的另一表面。

17.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：

电极焊盘，形成在所述发光二极管芯片的所述上表面上，

其中，所述波长转换层被形成为覆盖所述电极焊盘。

18.根据权利要求17所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：布线，将所述电极焊盘电连接到所述封装基底。

19.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述波长转换层延伸到所述发光二极管芯片的侧表面。