[发明专利]发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法

说明书

本申请要求于2010年4月15日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0034693号韩国专利申请和于2010年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0127774号韩国专利申请的优先权，通过引用将上述申请的内容包含于此。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装件、一种具有该发光二极管封装件的照明装置和一种用于制造发光二极管封装件的方法。

背景技术

近来，已经在各种领域中将发光二极管(LED)应用于各种装置，例如键盘、背光、交通灯、机场跑道上的引导灯、照明灯泡等。随着已经在各种领域中将LED应用于各种装置，已经显示出用于封装LED的技术的重要性。

在现有技术的LED封装件中，第一引线框和第二引线框设置在封装件主体内，LED芯片安装在第一引线框上。第一引线框和第二引线框通过布线电连接。在这种情况下，封装件主体具有杯状形状，树脂部件形成在杯中，从而保护LED芯片和布线等。在树脂部件中，用于转换光的波长以使白光从LED芯片发射的磷光体(或荧光材料)可以分散在树脂部件中。

然而，在现有技术中，从LED芯片发射的光在树脂部件中被反射和漫射多次，从而入射到封装件主体、第一引线框和第二引线框等，损失了能量，能量的损失量等于每个表面的吸收率的量。即，当入射光的量为1，并且每个表面的反射率为R时，入射光的一部分以(1-R)的比率被吸收和消散(即，变无)。

另外，树脂部件填充在具有杯状的封装件主体的整个内部中，并且光从树脂部件的整个表面发射，从而增加了LED封装件的光学扩展量。因此，现有技术的LED封装件不能应用于需要具有低光学扩展量的光源的应用领域，例如相机闪光灯、相机头灯、投影仪的光源等。这里，光学扩展量是通过将辐射的光的立体角与光源的面积相乘所获得的值，随着光源的面积增加，该值增大。

另外，在现有技术中，在LED芯片的光发射表面上产生光的色温偏差，因此，当通过透镜观看发射的光的辐射图案时，过分地出现所谓牛眼的颜色模糊。

发明内容

本发明的一方面提供了一种发光二极管(LED)封装件、一种用于制造所述LED封装件的方法和一种具有所述LED封装件的照明装置，与其它产品相比，所述LED封装件具有提高的发光效率，和/或从LED芯片的光发射表面发射具有均匀色温的光，和/或具有减小的色温差异。

根据本发明的一方面，提供了一种发光二极管(LED)封装件，该LED封装件包括：封装基底；LED芯片，安装在所述封装基底上；波长转换层，当从上面观看所述LED芯片时由所述LED芯片形成的表面被定义为所述LED芯片的上表面时，所述波长转换层被形成为覆盖所述LED芯片的所述上表面的至少一部分，其中，所述波长转换层被形成为没有超出所述LED芯片的所述上表面的区域，并包括与所述LED芯片的所述上表面平行的平坦表面和连接所述LED芯片的所述上表面的边缘的弯曲表面。

所述LED封装件还可以包括：光反射层，形成在所述封装基底上，以围绕所述LED芯片的侧面。

所述光反射层可以由包括TiO₂的材料制成。

所述LED封装件还可以包括：光分布层，覆盖所述波长转换层和所述光反射层。

所述光分布层可以由包括SiO₂的材料制成。

所述LED封装件还可以包括：阻挡件，形成在所述封装基底上，以界定用于将所述LED芯片、所述光反射层和所述光分布层容纳在其中的腔。

所述阻挡件可以由包括树脂的材料制成。

所述LED封装件还可以包括：透明覆盖层，覆盖所述LED芯片。

所述封装基底可以由包括陶瓷的材料制成。

所述波长转换层可以由包含透明树脂和磷光体的材料制成。

所述磷光体与所述透明材料的重量比可以为2∶1或更大。

所述LED芯片可以包括：结构支撑层，由导电材料制成；光发射结构，形成在所述结构支撑层的一个表面上，并包括p型半导体层、有源层和n型半导体层。

所述光发射结构可以形成在所述结构支撑层的一个表面的一部分上，所述LED芯片的所述上表面可以包括所述光发射结构的一个表面和所述结构支撑层的一个表面的没有形成所述光发射结构的其它剩余区域。

所述LED芯片可以包括：生长基底；光发射结构，形成在所述生长基底的一个表面上，并包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中，所述有源层和所述p型半导体层可以形成在所述n型半导体层的一个表面的一部分上。