[发明专利]电子器件封装及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件封装，其特征在于其包括：

电子器件，包括聚合物层及保护层，所述保护层用以保护器件层；

基板总成，面朝所述电子器件；以及

密封环，以闭合环圈形式形成于所述电子器件与所述基板总成之间，并环绕密封区域，

其中所述密封环的至少一个侧面接触所述聚合物层，且所述密封环设置于所述保护层上。

2.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其所述电子器件包括光传感器、微机电系统器件、硅基器件、GaAs基器件、或InP基器件。

3.如权利要求2所述的电子器件封装，其特征在于其从光方面而言，所述基板总成包括透明基板、半透明基板、或不透明基板，且

其从电方面而言，所述基板总成包括导电基板、半导体基板、或绝缘基板。

4.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其所述保护层设置于所述电子器件的整个区域上，且

所述聚合物层设置于所述保护层上的所述密封区域中。

5.如权利要求4所述的电子器件封装，其特征在于其所述保护层是由单个层或叠置的多个层形成，所述单个层或叠置的多个层包含二氧化硅、四乙氧基硅烷、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、钻石混合物、及其混合物中的一种。

6.如权利要求4所述的电子器件封装，其特征在于其所述聚合物层包括滤色片及微透镜。

7.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其所述密封环包括由密封层与粘合层形成的堆叠结构。

8.如权利要求7所述的电子器件封装，其特征在于其所述粘合层是通过使低熔点材料层与所述密封层进行反应而形成，并包含金属间化合物，所述低熔点材料层所具有的熔点低于所述密封层的熔点。

9.如权利要求8所述的电子器件封装，其特征在于其所述密封层包含Cu、Au、Sn、SnAg、SnAgCu、Ag、及Ni中的至少一种。

10.如权利要求8所述的电子器件封装，其特征在于其所述低熔点材料层包含Sn、SnAg、Ti/In/Au堆叠结构、Bi、及In中的至少一种。

11.如权利要求8所述的电子器件封装，其特征在于其所述密封层及所述低熔点材料层分别包含Cu及Sn、Cu及SnAg、Au及Ti/In/Au堆叠结构、Sn及Bi、SnAg及Bi、SnAgCu及Bi、Ag及In、或Ni及Sn。 

12.如权利要求11所述的电子器件封装，其特征在于其所述粘合层包含CuSn、CuSnAg、AuIn、SnBi、Sn、AgBi、SnAgCuBi、AgIn、及NiSn中的一种。

13.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其还包括接合部，所述接合部设置于所述密封环以外并接触所述保护层。

14.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其还包括设置于所述密封环以内的接合部。

15.如权利要求1所述的电子器件封装，其特征在于其还包括设置于所述密封环以外的树脂密封环。

16.一种制造电子器件封装的方法，其特征在于其所述方法包括：

在基板上形成电子器件，所述电子器件包括保护层与聚合物层的堆叠结构；

移除所述聚合物层的一部分；

在所述电子器件与基板总成中的一者上，且在对应于所述聚合物层的所述被移除部分的区域中，堆叠密封层与低熔点材料层；

在所述电子器件与所述基板总成中不存在所述密封层及所述低熔点材料层的一者上，形成密封环衬垫；

使所述电子器件接触所述基板总成，以使所述低熔点材料层对应于所述密封环衬垫；以及

通过使所述低熔点材料层熔化并使所述低熔点材料层与所述密封层及所述密封环衬垫发生反应，形成粘合层。

17.如权利要求16所述的制造电子器件封装的方法，其特征在于其以闭合环圈形式移除所述聚合物层。

18.如权利要求16所述的制造电子器件封装的方法，其特征在于其在所述电子器件上形成所述密封层及所述低熔点材料层，以及

在所述保护层上形成接合部，且所述接合部与所述密封层及所述低熔点材料层间隔开。