[发明专利]一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于N型外延层的BCD集成器件，包括集成于同一P型衬底(1)上的高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件；其特征在于：

所述高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件制作于P型衬底(1)表面的P型外延层(4)表面的N型外延层(14)中，并通过P⁺对通隔离区(5～10及15～20)实现结隔离；在高压nLDMOS器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第一N型埋层(2)，在高压nLIGBT器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第二N型埋层(3)。

2.根据权利要求1所述的基于N型外延层的BCD集成器件，其特征在于，在低压PMOS器件和低压NMOS器件下方的P型外延层(4)和N型外延层(14)之间具有第三N型埋层(11)，在低压PNP器件下方的P型外延层(4)和N型外延层(14)之间具有第四N型埋层(12)，在低压NPN器件下方的P型外延层(4)和N型外延层(14)之间具有第五N型埋层(13)。

3.根据权利要求1或2所述的基于N型外延层的BCD集成器件，其特征在于：

所述高压nLDMOS器件包括N型外延层(14)中的P阱(22)和与漏极金属(55)相连的N⁺漏极区(46)，P阱(22)中包括并排、且与源极金属(54)相连的P⁺阱接触区(37)和N⁺源极区(45)；N型外延层(14)靠近N⁺漏极区(46)的一侧的表面具有场氧化层(26)、靠近P阱(22)的一侧的表面以及P阱(22)的表面具有栅氧化层(27)，栅氧化层(27)的表面具有多晶硅栅(31)，场氧化层(26)与漏极金属(55)之间具有多晶硅场板(35)；多晶硅栅(24)、源极金属(54)和漏极金属(55)之间具有金属前介质(53)；

所述高压nLIGBT器件包括N型外延层(14)中的P阱(23)和N型缓冲层(21)，P阱(23)中具有并排、且与阴极金属(56)相连的P⁺阱接触区(38)和N⁺阴极区(47)，N型缓冲层(21)中具有与阳极金属(57)相连的P⁺阳极区(39)；N型外延层(14)靠近P⁺阳极区(39)的一侧的表面具有场氧化层(26)、靠近P阱(23)的一侧的表面以及P阱(23)的表面具有栅氧化层(28)，栅氧化层(28)的表面具有多晶硅栅(32)，场氧化层(26)与阳极金属(57)之间具有多晶硅场板(36)；多晶硅栅(32)、阴极金属(56)和阳极金属(57)之间具有金属前介质(53)；

所述低压PMOS器件包括N型外延层(14)中分别与源极金属(58)相连的P⁺源极区(40)和与漏极金属(59)相连的P⁺漏极区(41)，P⁺源极区(40)和P⁺漏极区(41)之间的N型外延层(14)表面具有栅氧化层(29)，栅氧化层(29)的表面具有多晶硅栅(33)；

所述低压NMOS器件包括N型外延层(14)中P阱(24)，P阱(24)中具有分别与源极金属(60)相连的N⁺源极区(48)、与漏极金属(61)相连的N⁺漏极区(49)，N⁺源极区(48)和N⁺漏极区(49)之间的P阱(24)表面具有栅氧化层(30)，栅氧化层(30)的表面具有多晶硅栅(34)；

所述低压PNP器件包括N型外延层(14)中分别与集电极金属(62)相连的P⁺集电极区(42)、与发射极金属(63)相连的P⁺发射极区(43)和与基极金属(64)相连的N⁺基区接触区(50)；

所述低压NPN器件包括N型外延层(14)中的P阱(25)和与集电极金属(65)相连的N⁺集电极接触区(51)，P阱(25)中包括分别与发射极金属(66)相连的N⁺发射极区(52)、与基极金属(67)相连的P⁺基区接触区(44)。