[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于包含下列步骤：

形成一芯片封装体，其步骤包含：

提供一载板；

形成一第一金属层形成于该载板的一上表面；

形成至少一开口于该第一金属层上，以露出部分该载板的该上表面；

设置一芯片于露出的部分该载板上，其中该芯片的一有源面是朝向该载板；

形成一封胶体覆盖该芯片与该第一金属层；以及

移除该载板以露出该芯片的该有源面及该第一金属层；以及

提供一重配线基板于该芯片封装体下方，并使该重配线基板与该芯片的该有源面电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，形成该开口的方式包含干膜曝光显影的方式。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该第一金属层为一导电金属薄膜，且该第一金属层是以压合方式设置于该载板上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该第一金属层是以沉积或电镀方式形成于该载板的该上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，在形成该封胶体之前，还包含形成一第二金属层覆盖该芯片的一背面。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该第二金属层覆盖还包含覆盖该芯片的一侧面。

7.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于包含下列步骤：

形成一芯片封装体，其步骤包含：

提供一载板；

设置一芯片于该载板上，其中该芯片的一有源面是朝向该载板；

形成一第一金属层覆盖该芯片与该载板；

形成一封胶体覆盖该芯片与该第一金属层；以及

移除该载板以露出该芯片的该有源面及该第一金属层；以及

提供一重配线基板于该芯片封装体下方，并使该重配线基板与该芯片的该有源面电性连接。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该第一金属层是以沉积或电镀方式形成于该载板的该上表面。

9.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，在形成该第一金属层之前，还包含以溅镀方式形成一金属接合层覆盖该芯片与该载板。

10.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该第一金属层覆盖该芯片的一背面与一侧面。

11.一种半导体封装结构，其特征在于包含：

一芯片封装体，包含：

一第一金属层，具有一开口；

一芯片，位于该开口上，其中该芯片的一背面与该第一金属层的一上表面是朝向同一方向；以及

一封胶体，覆盖该芯片的该背面与该第一金属层的该上表面，且该芯片的一有源面与该第一金属层的一下表面露出于该封胶体；以及

一重配线基板，设置于该芯片封装体下方，并与该芯片的该有源面电性连接。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，还包含一第二金属层，设置于该芯片的该背面与该芯片一侧面的至少其中之一上。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二金属层与该第一金属层为相同材质。

14.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该重配线基板包含多个内电接垫、多个外电接垫与多个内连接线路，其中每一该内连接线路一端连接该内电接垫，一另端连接该外连接点，其中这些内电接垫与该芯片的该有源面电性连接。

15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，还包含多个焊球设置于该重配线基板的这些外电接垫上。

16.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，该重配线基板还包含至少一接地线路，连接该第一金属层与该内连接线路。

17.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一金属层为一导电金属薄膜。

18.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一金属层由多层金属层堆叠而成。

19.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该重配线基板为重配线薄膜基板。