[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关一种半导体封装技术，特别是一种半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

于半导体封装工艺中，由于电子产品轻薄短小的趋势加上功能不断增多，使得封装密度随之不断提高，亦不断缩小封装尺寸与改良封装技术。如何开发以提高工艺良率与改善散热效率的封装技术一直为为此技术领域的重要课题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明目的是提供一种半导体封装结构及其制造方法，以提高工艺良率与改善散热效率。根据本发明一方面提供一种半导体封装结构的制造方法，其特点是包括下列步骤：形成一芯片封装体以及提供一重配线基板于芯片封装体下方，并与芯片封装体电性连接。其中形成芯片封装体的步骤包括：提供一载板；形成一第一金属层形成于载板的一上表面；形成至少一开口于第一金属层上，以露出部分载板；设置一芯片于露出的部分载板上，其中芯片的一有源面是朝向载板；形成一封胶体覆盖芯片与第一金属层；以及移除载板以露出芯片的有源面及第一金属层。

根据本发明另一方面提供一种半导体封装结构的制造方法，其特点是包括下列步骤：形成一芯片封装体以及提供一重配线基板于芯片封装体下方，并与芯片封装体电性连接。其中形成一芯片封装体，其步骤包括：提供一载板；设置一芯片于载板上，其中芯片的一有源面是朝向载板；形成一第一金属层覆盖芯片与载板；形成一封胶体覆盖芯片与第一金属层；以及移除载板以露出芯片的有源面及第一金属层。

根据本发明又一方面提供一种半导体封装结构，其特点是包括：一芯片封装体，包括：一第一金属层，具有一开口；一芯片位于开口上，其中芯片的一背面与第一金属层的一上表面是朝向同一方向；以及一封胶体，覆盖芯片的背面与第一金属层的上表面，且芯片的一有源面与第一金属层的一下表面是露出于封胶体。以及一重配线基板设置于芯片封装体下方，并与芯片的有源面电性连接。

本发明的有益技术效果是：利用对芯片先封装再与重配线基板结合，且芯片封装体内设有金属层位于与基板的接合面，这样可增加芯片封装体与基板之间的接合力以提高工艺良率及可增加芯片的散热效率，并可提高EMI遮蔽效果。

以下将配合附图对本发明的较佳实施例详加说明，当可更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体封装结构的制造方法的结构剖视图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F为本发明一实施例的半导体封装结构的结构剖视图。

图3A、图3B为本发明不同实施例的半导体封装结构的结构剖视图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G为本发明一实施例的半导体封装结构的结构剖视图。

具体实施方式

其详细说明如下，所述较佳实施例仅做一说明非用以限定本发明。

请参考图1，图1为本发明一实施例的半导体封装结构的制造方法的结构剖视图。如图所示，半导体封装结构的制造方法包括下列步骤：形成一芯片封装体100以及提供一重配线基板200于芯片封装体100下方，并使重配线基板200与芯片封装体100电性连接。

接续上述，于一实施例中，形成芯片封装体100的步骤如图2A至图2E所示。首先，如图2A，提供一载板110，并形成一第一金属层120形成于载板110的一上表面112。于一实施例中，第一金属层120包括但不限于一导电金属薄膜，且第一金属层120是以压合方式设置于载板110上，另可以理解的是，除单层结构之外，第一金属层120亦可为复合膜层由多层金属层堆叠而成。接着，请参考图2B，形成至少一开口122于第一金属层120上，以露出部分载板110的上表面112。而形成开口122的方法包括干膜曝光显影的方式。接着，如图2C所示，设置一芯片130于露出的部分载板110上，其中芯片130的一有源面132是朝向载板110，芯片130的一背面134是背向载板110。之后，请参考图2D，形成一封胶体140覆盖芯片130与第一金属层120。再接着，移除载板110以露出部分芯片130及第一金属层120，例如芯片130的有源面132及第一金属层120的下表面123，如图2E所示。最后，如图2F所示，将所提供的重配线基板200设置于芯片封装体100下方，并使重配线基板200与芯片130的有源面132电性连接。