[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置。

背景技术

近年来，磁盘装置、软(Floppy，注册商标)盘装置、磁带装置等的磁记录装置的应用范围显著扩大，磁记录装置的重要性正在增加。

特别是通过MR磁头(磁阻效应型磁头)以及PRML(局部响应最大似然；Partial Response Maximum Likelihood)技术的导入、GMR磁头(巨磁阻效应型磁头)和TMR磁头(隧道磁阻型磁头)等的导入，面记录密度的高密度化进一步地增加了激烈程度。

由此，在上述磁记录装置中应用的磁记录介质，被要求达到更高的记录密度。因此，希望获得具有更高的矫顽力、高SN比(信号量除以噪音量所得的比)的磁记录介质。

另外，在近年的磁记录介质中，为达到高的面记录密度，将介质的膜厚减薄。因此，记录磁化因热干扰而减弱这样的现象成为问题，特别地，磁记录的热稳定性成为较大的技术课题。

尤其是如果提高SN比，则大多情况是记录磁化的热稳定性降低。这是因为，一般在SN比高的介质中，构成磁记录层的磁性粒子的晶粒尺寸微细的情况较多，这种情况对介质噪声有效，但是相反地，从磁性的热稳定性的观点来看，变得接近于不稳定区域。

另外，近年来，通过磁道密度的增加而使面记录密度上升的努力也在继续，磁记录装置中磁道密度达到了350kTPI。

但是，如果将磁道密度提高下去，则相邻的磁道间的磁记录信息会相互干扰，所以该边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生SN比变小的问题。

如果发生这样的问题，则会影响到比特误码率(Bit Error rate)的降低，所以对于记录密度的提高成为阻碍。

另外，因磁道间的距离接近，磁记录装置中就要求极高精度的磁道伺服技术。

另外，在磁记录装置中，宽幅地实行记录，为了尽量排除来自相邻磁道的影响，再生一般使用比记录时窄地实行的方法。在这种方法中，可以将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分获得再生输出，所以难以确保足够大小的SN比。

为确保如以上那样的介质的热稳定性，近年来所使用的是垂直磁记录介质。

在垂直磁记录中，为进行更高的记录密度化，必须增加磁道密度。另外，在垂直磁记录介质中，必须使因增加磁道密度而成问题的记录端部的洇写(边缘效应；fringe)降低。

作为解决该边缘效应的方法的一例，有离散型介质(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1中，公开了一种数据部为凸部、非磁性部为凹部的离散型介质的结构。但是，因为设置凹部型的非磁性部会使盘表面存在凹凸部，所以对记录再生磁头的浮起给予不良影响，因而不优选。

专利文献2中公开了：在玻璃盘基板上形成磁记录层，接着，将磁记录层图案化，由此形成磁记录部以及用于配置非磁性部的沟，接着，利用溅射法形成非磁性膜(成为非磁性部的母材的膜)使得其填埋沟，其后，通过利用离子束蚀刻，除去非磁性膜之中的、位于比磁记录部的上面更靠上方的部分，来在沟处形成非磁性部。

另外，公开了使用氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、聚合化合物等作为非磁性膜的材料，。

但是，当利用溅射法，使用上述氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、聚合化合物等的材料形成非磁性膜时，依赖于磁记录部的形状(例如，宽度和/或进行平面视图时的面积)，多个磁记录部上形成的非磁性膜的厚度不同。

因此，当利用离子束蚀刻除去非磁性膜直到多个磁记录部的表面露出以形成非磁性部时，因为构成非磁性部的非磁性膜的表面比磁记录部的表面低(产生凹陷)，在包括被离子束蚀刻了的磁记录部的表面以及非磁性膜的表面的面(以下，称为「蚀刻面」)上形成凹凸，所以存在无法使磁记录介质的表面形成为平滑面这样的问题。

当将这种没有平滑表面的磁记录介质装入磁记录再生装置中时，恐怕会有磁头发生破损和/或磁记录再生装置不能正常工作的可能性。

另外，当使用埋入特性不优异的溅射法形成非磁性膜时，因为在非磁性部与磁记录部之间形成间隙，所以根据磁记录再生装置的使用环境，存在磁记录介质从上述间隙发生腐蚀这样的问题。

作为以改善这种专利文献2的问题为目的的现有技术，有专利文献3。

专利文献3中公开了：利用旋涂法，涂布紫外线固化性树脂作为非磁性膜以填埋沟，接着，通过照射紫外线使紫外线固化性树脂固化，其后，通过离子束蚀刻，除去不需要的部分的紫外线固化性树脂，由此在沟处形成非磁性部。