[发明专利]半导体器件、形成互连结构的方法

权利要求书

1.一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上形成牺牲层；

利用压印模具拓印所述牺牲层，在所述牺牲层上形成凸棱，所述凸棱具有顶面和两侧壁；

在所述凸棱顶面、侧壁的预定位置以及相邻的凸棱之间形成碳单原子层，作为互连结构；

形成粘附层，覆盖所述碳单原子层；

去除所述牺牲层；

将所述粘附层、碳单原子层转移至第二衬底上，所述第二衬底为半导体衬底，其中形成有器件结构，所述碳单原子层与所述器件结构电连接。

2.如权利要求1的所述的形成互连结构的方法，其特征在于，利用压印模具拓印所述牺牲层，在所述牺牲层上形成凸棱包括：对所述牺牲层进行软化；使用所述压印模具对所述软化后的牺牲层进行冲压；对所述冲压后的牺牲层进行冻结，形成凸棱；移除所述压印模具。

3.如权利要求2所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为镍。

4.如权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，在所述凸棱的顶面、和侧壁的预定位置以及相邻凸棱之间形成碳单原子层包括：

在所述凸棱的两侧壁形成中间层；

去除侧壁预定位置的中间层；

分解甲烷，在所述凸棱的顶面、侧壁的预定位置以及相邻凸棱之间形成碳单原子层。

5.如权利要求4所述的形成互连结构的方法，其特征在于，在所述凸棱的两侧壁形成中间层包括：

形成中间层，覆盖所述凸棱的顶面和两侧壁；

光刻、刻蚀去除顶面的中间层。

6.如权利要求5所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述中间层的材料为氮化硅，其形成方法为化学气相沉积。

7.如权利要求4所述的形成互连结构的方法，其特征在于，在去除牺牲层时，还包括去除剩余的中间层。

8.如权利要求7所述的形成互连结构的方法，其特征在于，利用盐酸或者磷酸湿法刻蚀去除所述牺牲层、去除剩余的中间层。

9.如权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，在将所述粘附层、碳单原子层转移至第二衬底上之后还包括：去除粘附层。

10.如权利要求9所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述粘附层的材料为有机玻璃。

11.如权利要求10所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述形成粘附层的方法为旋涂法。

12.如权利要求11所述的形成互连结构的方法，其特征在于，利用丙酮湿法刻蚀去除粘附层。

13.如权利要求12所述的形成互连结构的方法，其特征在于，去除粘附层后还包括退火的步骤。

14.如权利要求9的所述的形成互连结构的方法，其特征在于，去除粘附层之后，还包括形成超低k介质层，覆盖所述第二衬底以及碳单原子层。

15.如权利要求14的所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述超低k介质层为胶状，其材料为SiLK，聚酰亚胺，降冰片烯聚合物，苯环丁烯或聚四氟乙烯。

16.如权利要求1的形成互连结构的方法，其特征在于，所述第一衬底的材料为硅或二氧化硅。

17.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有器件结构；

形成在所述衬底上的互连结构，与所述器件结构电连接；其特征在于，

所述互连结构由碳单原子层形成。