[发明专利]一种用于集成电路制造中改进光刻的方法

权利要求书

1.一种用于集成电路制造中改进光刻的方法，其特征在于，包括：

根据原始版图的设计图形，确立最优的光学邻近校正模型、光刻目标、次分辨率辅助图形参数；

基于最小节距和最小间距准则分解所述原始版图的设计图形；

对分解得到的掩膜图形放置次分辨率辅助图形并应用光学邻近校正；

在一定的工艺宽容度下运行光学规则检查，同时进行掩膜误差增强因子检验；

对前述检验结果进行评价。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述最小节距是制造工艺节点下实际工艺决定的原始版图设计图形的线条线宽与线条之间间距之和的最小值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述最小间距是制造工艺节点下实际工艺决定的原始版图设计图形的线条线端之间间距的最小值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述最小间距设定为所述最小节距的二分之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解得到的掩膜图形线条线端的间距大于所述最小间距。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对前述检验结果进行评价的步骤包括： 如果双重图形技术处理之后所得图形符合设定的图形精确度约束参数，则进行掩膜版的制造。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对前述检验结果进行评价的步骤包括：如果双重图形技术处理之后所得图形不符合设定的图形精确度约束参数，则优化最小节距和最小间距分解准则，重新分解所述原始版图的设计图形。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对前述检验结果进行评价的步骤包括：如果双重图形技术处理之后所得图形不符合设定的图形精确度约束参数，则重新设计所述原始版图的设计图形。

9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其特征在于，所设定的图形精确度约束参数包括特征尺寸偏差、线端回缩偏差或MEEF允许范围。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述分解图形包括图形线条的切割。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，切割位优先选取图形线条的延伸部分、窄/宽线交汇处或窄线与接地压焊间的位置。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在切割位预留交叠区保证图形接合时接合部位的充分重叠。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一定的工艺宽容度包括成像焦距和光照剂量。