[发明专利]MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管有效
| 申请号： | 201110108295.0 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102184869A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 邵丽 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 隔离 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，包括：
氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；
多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层；
氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；
刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及
隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述MOS晶体管为功率VDMOS器件。
3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述氧化物层是二氧化硅层。
4.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述刻蚀步骤采用了干法刻蚀。
5.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述氧化物层的厚度为100A至150A。
6.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述多晶硅层的厚度为500A至700A。
7.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述氮化硅层的厚度为700A至2000A。
8.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述隔离区的厚度为7000A至12000A。
9.一种根据权利要求1至8之一所述的MOS晶体管隔离区制造方法制造的MOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为高压器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
