[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201110109319.4 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102683537A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李佳恩 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括：
一基板；
一发光二极管结构，设置于该基板上；
一第一电极，设置于该发光二极管结构的一第一表面上；
一第二电极，设置于该发光二极管结构的一第二表面上；
一指状导电层，邻接于该第一电极，且延伸设置于该第一表面上，其中该指状导电层具有远离于该第一电极的一末端部分；以及
一静电保护层，设置于该指状导电层和该发光二极管结构之间或该第一电极和该发光二极管结构之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该发光二极管的操作电流密度大于1A/mm2。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该第一表面为该发光二极管结构的一发光面，该第二表面为该发光二极管结构的一背面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该静电保护层的至少一个边缘是凸出于该第一电极的一边缘。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中该第一电极的该边缘相邻于该指状导电层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该静电保护层的至少一个边缘是凸出于该指状导电层的该末端部分的一边缘。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中设置于该指状导电层和该发光二极管结构之间的该静电保护层接触该指状导电层的末端部分。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中设置于该第一电极和该发光二极管结构之间的该静电保护层接触该第一电极。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该静电保护层包括电介质。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中该基板包括半导体。
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