[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种发光二极管的电极设计。

背景技术

对于高功率发光二极管而言，电流扩散能力扮演着很重要的角色。尤其在高功率发光二极管的应用方面，在较大的电流密度操作下，不均匀的电流分布极易造成电极的烧毁。

因此，发光二极管的电极设计着重在于使电流均匀分布。在现有技术中，是使用电极金属延伸线的设计使电流有效的均匀扩散。然而，电极金属延伸线的末端存在尖端放电的问题，因此易造成静电击穿而导致芯片损毁。电极金属延伸线能有效帮助电流扩散，却也会造成光吸收问题，反而造成旋光性衰退的问题。所以，是利用缩小电极金属延伸线的面积，以有效减少吸光问题。然而，电极金属延伸线的面积缩小则必须增加金属线厚度来平衡电流密度，如此却造成较高的生产成本，且随着电极金属线面积的缩小，静电击穿及电极烧毁的问题会更加严重。

在此技术领域中，需要一种发光二极管的电极设计，其可在不增加电极面积及电极厚度前提下，能有效帮助电流扩散以及防止静电击穿及电极烧毁。

发明内容

有鉴于此，本发明一实施例是提供一种发光二极管，上述发光二极管包括一基板；一发光二极管结构，设置于上述基板上；一第一电极，设置于上述发光二极管结构的一第一表面上；一第二电极，设置于上述发光二极管结构的一第二表面上；一指状导电层，邻接于上述第一电极，且延伸设置于上述第一表面上，其中上述指状导电层具有远离于上述第一电极的一末端部分；以及一静电保护层，设置于上述指状导电层和上述发光二极管结构之间或上述第一电极和上述发光二极管结构之间。

附图说明

图1a为本发明实施例的发光二极管的俯视图。

图1b本发明不同实施例的发光二极管的剖面图。

附图标记：

500：发光二极管；

200：基板；

202：发光二极管结构；

203：第一表面；

204：第一电极；

205：第二表面；

208：第二电极；

210：指状导电层；

212：末端部分；

214、216：静电保护层；

218：边角部分

219、220：边缘。

具体实施方式

以下以各实施例详细说明并结合附图说明的范例，作为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将分别描述说明，值得注意的是，图中未显示或描述的组件，为所属技术领域的普通技术人员所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

本发明实施例是提供一种发光二极管，特别是操作电流密度大于1A/mm²的高功率垂直式发光二极管(high power vertical light emitting diode)，其于设置于发光面上的电极金属延伸层和发光二极管结构之间或电极本身和发光二极管结构之间设置有一层静电保护层，以同时具有有效帮助电流扩散以及防止静电击穿及电极烧毁等优点。图1a为本发明实施例的发光二极管500的俯视图。图1b为本发明不同实施例的发光二极管500的剖面图。图1a～1b显示的发光二极管是以一氮化镓(GaN)是高功率垂直式蓝光发光二极管作为本发明实施例。如图1a～1b所示，本发明实施例的发光二极管500可包括一基板200。在本发明一实施例中，基板200可包括一半导体基板。一发光二极管结构202，设置于基板200上。在本发明一实施例中，基板200和发光二极管结构202之间可设置有一缓冲层(图未示出)。在本发明一实施例中，发光二极管结构202可由具有p型-n型接头(pn junction)的半导体层构成，其包括至少两个电性连接的一p型半导体层和一n型半导体层，以及p型半导体层和n型半导体层之间的一发光半导体层，用于发光二极管结构202的半导体层可包括氮化镓(GaN)、氮化镓铟(GaInN)等材质。在本发明一实施例中。在本实施例中，发光二极管结构202的n型半导体层和p型半导体层沿着垂直基板200表面的方向堆栈，且发光二极管结构202的p型半导体层的一第一表面203和n型半导体层的一第二表面205两者位于发光二极管结构202的相对侧，其中第一表面203为发光二极管结构202的一发光面，第二表面205为发光二极管结构202的一背面。