[发明专利]透明导电膜湿法蚀刻液组合物无效
| 申请号： | 201110109688.3 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102241985A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张军;常积东;李承孝 | 申请（专利权）人： | 西安东旺精细化学有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 湿法 蚀刻 组合 | ||
1.一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的蚀刻液组合物为草酸和硫酸的水溶液，其中草酸含量为0.5-10wt％；硫酸含量为0.1-40wt％。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物还含有0.01-10wt％铵盐。
3.根据权利要求2所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。
4.根据权利要求1至3任一所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物还含有0.001-10wt％表面活性剂。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的表面活性剂选自阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的表面活性剂为Gemini型表面活性剂。
7.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水。
8.根据权利要求6所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水。
9.根据权利要求8所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为2-4wt％；硫酸含量为2-15wt％；铵盐含量为0.5-5wt％；表面活性剂含量为0.1-5wt％；余量为水。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，用于等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)透明导电膜氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻。
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