[发明专利]移位缓存器电路的布局结构无效

专利信息
申请号: 201110111239.2 申请日: 2011-04-19
公开(公告)号: CN102184703A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 陈盈真;李豪捷;张竣桓;刘俊欣;陈婉蓉 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/36
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 移位 缓存 电路 布局 结构
【权利要求书】:

1.一种移位缓存器电路的布局结构,包括:

一第一移位缓存器,接收一第一信号与一第二信号,该第二信号与该第一信号互为反相;以及

一第二移位缓存器,接收该第一信号与该第二信号,且与该第一移位缓存器相邻设置;

其中,该第一移位缓存器与该第二移位缓存器共享一第一信号走线以接收该第一信号,且该第一信号走线延伸入该第一移位缓存器与该第二移位缓存器之间。

2.根据权利要求1所述的布局结构,其特征在于,进一步包括:

一第三移位缓存器,接收该第一信号与该第二信号,且与该第二移位缓存器相邻设置以致于该第二移位缓存器位于该第一移位缓存器与该第三缓存器之间;

其中,该第三移位缓存器与该第二移位缓存器共享一第二信号走线以接收该第二信号,且该第二信号走线延伸入该第三移位缓存器与该第二移位缓存器之间。

3.根据权利要求1所述的布局结构,其特征在于,进一步包括:

一第三移位缓存器,接收该第一信号与该第二信号,且与该第二移位缓存器相邻以致于该第二移位缓存器位于该第一移位缓存器与该第三缓存器之间;

其中,该第一移位缓存器、该第二移位缓存器与该第三移位缓存器分别通过不同的第二信号走线来接收该第二信号。

4.根据权利要求1所述的布局结构,其特征在于,该第一信号走线延伸入该第一移位缓存器与该第二移位缓存器的一端直线连接至该第二移位缓存器并侧向延伸连接至该第一移位缓存器。

5.根据权利要求1所述的布局结构,其特征在于,该第一信号与该第二信号分别为互为反相的二时脉信号。

6.根据权利要求1所述的布局结构,其特征在于,进一步包括:

一第一总线线,提供该第一信号;以及

一第二总线线,提供该第二信号,且与该第一总线线相互平行设置。

7.一种移位缓存器电路的布局结构,包括:

一第一总线线;

一第二总线线,该第一总线线与该第二总线线中的至少一者用于提供一交流信号;

多个移位缓存器;以及

一信号走线,自该第一总线线延伸并跨越该第二总线线,且在跨越该第二总线线的后分成多个分支以分别与该些移位缓存器电性相接。

8.根据权利要求7所述的布局结构,其特征在于,该第一总线线与该第二总线线中的另一者用于提供一直流信号。

9.根据权利要求7所述的布局结构,其特征在于,该第一总线线与该第二总线线中的另一者用于提供另一交流信号。

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