[发明专利]一种金刚线切割硅片的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。

背景技术

目前太阳能硅片的切割普遍使用多线切割机，市场上占有率比较多的是MB、HCT、NTC等.但是由于该切割工艺效率低下，一刀需要7～8h；在切割中需要使用SiC和PEG的混合砂浆，切割后其废砂浆的排放严重污染环境.针对上述问题，目前国际上开发了新型切割工艺，金刚石线切割，其切割速度是普通线切割的2～3倍，切割过程中不需要使用SiC，使用对环境无污染的水性切削液。但是由于其切割原理不同，导致对硅片的表面形貌影响也不一样，如果安正常的硅片清洗，硅片经过碱制绒其金字塔的覆盖率非常小，反射率低，电池转化效率也比较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种金刚线切割硅片的清洗方法，可以提高硅片碱制绒的金字塔覆盖率、反射率以及电池效率。。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种金刚线切割硅片的清洗方法，金刚线切割的硅片首先经过脱胶粗洗处理，然后进行精洗，

硅片的脱胶粗洗处理经过多道清洗步骤，分别是：

1)在30～50℃水中清洗；

2)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃；

3)在30～50℃水中清洗；

4)在50～70℃乳酸中清洗；

5)在30～50℃水中通过清洗；

6)在常温水中清洗；

精洗工艺共经过多道清洗步骤和烘干处理，分别是：

1)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃，该清洗步骤，配制1～3道；

2)在40～60℃水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；

3)在60～80℃水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；

4)硅片烘干，该烘干步骤，配制1～3道。

本发明的有益效果是：该金刚线切割硅片清洗工艺方法根本革新在于：通过对硅片清洗液的PH的提高、以及温度的提高，使得其硅片表面更加干净，表面损伤层去除更大，同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时，金字塔绒面的覆盖率较高，绒面比较均一。通过金刚线切割硅片清洗工艺方法的调整，硅片的反射率降低了3％左右，电池效率提高了0.3-0.7％。

具体实施方式

一种金刚线切割硅片的清洗方法，该方法如下：

(一)、金刚线切割的硅片按顺序插入硅片花篮，进行脱胶粗洗工艺，粗洗工艺共经过6个水槽清洗，主要是除去硅片表面脏污和胶体，硅片粗洗的工艺步骤如下：粗洗的各步骤处理时间各800秒。

1.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗，摇动、喷水和超声波清洗就是水槽保持轻微振动，水保持循环同时有超声震荡的清洗方式；

2.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃；

3.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

4.在乳酸中通过摇动、喷水清洗，乳酸的温度为60℃；

5.在40℃水中通过摇动、喷水清洗；

6.在常温水中摇动清洗；

(二)、经过脱胶后的硅片进行精洗工艺，精洗工艺共经过7个水槽清洗和两步烘干处理，主要目的是除去硅片表面损伤层，硅片精洗的工艺步骤如下：精洗的各步骤处理时间各300秒。

1.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃；

2.在碱性清洗剂中通过摇动和超声波清洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃；

3.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

4.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

5.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

6.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

7.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；

8.在100℃温度下摇动烘干；

9.在150℃温度下摇动烘干。