[发明专利]高压功率集成电路隔离结构无效
| 申请号： | 201110112647.X | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102169890A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张世峰;韩雁;胡佳贤;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 功率 集成电路 隔离 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，其特征在于，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，其中一个P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层，其中m为整数。
2.根据权利要求1所述的高压功率集成电路隔离结构，其特征在于，所述的设有重掺杂P+区的P型硅岛位于所有P型硅岛的中间位置。
3.根据权利要求1所述的高压功率集成电路隔离结构，其特征在于，所述的m等于0，埋氧层上方设有由单个P型硅岛构成的顶层硅膜，该P型硅岛的顶部设置有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层。
4.一种包含权利要求1～3任一所述隔离结构的高压功率集成电路。
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