[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的第一半导体层；

第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在大致平行于上述第一半导体层主面的方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；

第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；

第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；

控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第五半导体层表面贯通上述第四半导体层并与上述第二半导体层相连的槽内；

第一主电极，与上述第一半导体层连接；

第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和

第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间，

上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从垂直于上述第一半导体层主面的方向观察，上述第二半导体层、上述第三半导体层、上述第四半导体层、上述第五半导体层和控制电极分别在相同方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述槽与上述第二半导体层相连，并且还与上述第三半导体层相连。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第六半导体层的底面与上述第四半导体层的底面之间的距离，比上述控制电极的下端与上述第四半导体层的底面之间的距离短。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二半导体层连接有2个上述槽。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在被上述2个上述槽所夹持的、设置在上述第二半导体层之上的上述第四半导体层的表面上，未设置上述第五半导体层。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第六半导体层被上述2个上述槽所夹持，在被上述2个上述槽所夹持的上述第六半导体层之上所设置的上述第四半导体层的表面上，未设置上述第五半导体层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在通过上述槽与设置在上述第六半导体层之上的上述第四半导体层邻接的上述第四半导体层的表面上，选择性地设置着上述第五半导体层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述槽设置在上述第二半导体层的中心部。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第五半导体层从上述第二半导体层之上的上述第四半导体层的表面延伸到上述第三半导体层之上的上述第四半导体层的表面。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三半导体层上半部分的杂质浓度高于上述第二半导体层上半部分的杂质浓度。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三半导体层下半部分的杂质浓度低于上述第二半导体层下半部分的杂质浓度。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：第二导电型的第七半导体层，该第七半导体层设置在上述第四半导体层与上述第三半导体层之间，含有比上述第三半导体层的杂质浓度高的杂质。

14.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第七半导体层与上述第六半导体层邻接。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述第七半导体层的杂质浓度低于上述第六半导体层的杂质浓度。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二半导体层连接有2个上述槽，上述2个上述槽未与上述第三半导体层相连。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

在被上述2个上述槽所夹持的上述第四半导体层的表面上，未设置上述第五半导体层。