[发明专利]具有电子熔丝结构的半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 201110113379.3 | 申请日: | 2011-05-04 |
公开(公告)号: | CN102237337A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 金德起 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L27/06;H01L21/768;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电子 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
电子熔丝栅极,横跨衬底的电子熔丝有源部分;
浮置图案,包括在所述电子熔丝栅极与所述电子熔丝有源部分之间的第一部分和沿所述电子熔丝栅极的侧壁向上延伸的一对第二部分;
阻挡电介质图案,在所述浮置图案与所述电子熔丝栅极之间;以及
电子熔丝电介质层,在所述浮置图案与所述电子熔丝有源部分之间。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述浮置图案包括:
金属性导电材料,具有与所述电子熔丝栅极的功函数不同的功函数。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述浮置图案的所述一对第二部分的顶表面与所述电子熔丝栅极的顶表面基本共面。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述浮置图案的所述一对第二部分的顶表面设置在比所述电子熔丝栅极的顶表面低的高度处。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述衬底包括彼此分隔开的第一区、第二区和第三区,且其中所述电子熔丝有源部分定义于所述第一区中,所述半导体器件还包括:
顺序堆叠在定义于所述衬底的所述第二区中的第一MOS有源部分上的第一MOS栅极电介质层和第一MOS栅极;以及
顺序堆叠在定义于所述衬底的所述第三区中的第二MOS有源部分上的第二MOS栅极电介质层和第二MOS栅极。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中所述第一MOS栅极的功函数不同于所述第二MOS栅极的功函数。
7.如权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一MOS栅极包括顺序堆叠的第一子栅极、第二子栅极和第三子栅极,所述第一MOS栅极的功函数是通过所述第一MOS栅极的所述第一子栅极、第二子栅极和第三子栅极的耦合产生的第一耦合功函数,且其中所述第二MOS栅极包括顺序堆叠的第一子栅极和第二子栅极,所述第二MOS栅极的功函数是通过所述第二MOS栅极的所述第一子栅极和第二子栅极的耦合产生的第二耦合功函数。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述第一MOS栅极的第一子栅极具有与所述第二耦合功函数不同的功函数,所述浮置图案具有与所述第一MOS栅极的第一子栅极相同的功函数,所述电子熔丝栅极的功函数与所述第二耦合功函数相同。
9.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述电子熔丝栅极包括顺序堆叠的第一子栅极和第二子栅极,且其中所述电子熔丝栅极的第一子栅极、所述第一MOS栅极的第一子栅极和第二子栅极、以及所述第二MOS栅极的第一子栅极用作对于对应的金属元素的扩散障垒。
10.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述浮置图案由与所述第一MOS栅极的第一子栅极相同的材料形成,所述第一MOS栅极的第二子栅极由与所述第二MOS栅极的第一子栅极相同的材料形成,所述第一MOS栅极的第三子栅极由与所述第二MOS栅极的第二子栅极相同的材料形成,所述电子熔丝栅极由与所述第二MOS栅极相同的材料形成。
11.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述第一MOS栅极的第一子栅极厚于所述第二MOS栅极的第一子栅极。
12.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述第一MOS栅极的第一子栅极和第二子栅极覆盖所述第一MOS栅极的所述第三子栅极的底表面和侧壁,所述第二MOS栅极的第一子栅极覆盖所述第二MOS栅极的第二子栅极的底表面和侧壁。
13.如权利要求5所述的半导体器件,还包括设置在所述衬底上的模层,其中
所述电子熔丝栅极、所述阻挡电介质图案和所述浮置图案设置在定义于所述模层的与所述衬底的第一区对应的部分中的第一槽中,
所述第一MOS栅极设置在定义于所述模层的与所述衬底的第二区对应的部分中的第二槽中,且
所述第二MOS栅极设置在定义于所述模层的与所述衬底的第三区对应的部分中的第三槽中。
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